采用四探针法测量相同导电类型、低阻衬底的外延层材料的电阻率时,由于流经材料的 电流会在低阻衬底中短路,因此得到的是衬底与外延层电阻率并联的综合结果。这时, 需要采用三探针法、扩展电阻法等。 三探针法是利用金属探针与半导体材料接触处的反向电流-电压特性、测定击穿时的电压 来获得材料电阻率的知识的。 ...
KLA-Tencor Candela CS920是一个晶圆表面缺陷检查系统,可以在一个单一检测平台上实现表面探测和光致发光(PL)技术,用于检测微蚀坑、萝卜状蚀坑、彗星状蚀线、三角形蚀坑和层错等表面缺陷。透过参数不同的通道之间的交叉相关(镭射波长、表面角度、散射光幅度),实现巨集微缺陷检测和自动分类。 汞探针电容电压(Hg-CV)测量法用于评估掺杂浓度(从原级平台到顶部直径是17点)。...
通常,虽然是采用硅的扩散型二极管,但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管,因为这些二极管对于电压而言,其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化,取代可变电容,用作调谐回路、振荡电路、锁相环路,常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路,多以硅材料制作。9、频率倍增用二极管对二极管的频率倍增作用而言,有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增。...
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