ASTM E1162-11
报告次级离子质谱分析法(SIMS)中溅深深度文件数据的标准操作规程
Standard Practice for Reporting Sputter Depth Profile Data in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)
- 标准号
- ASTM E1162-11
- 发布
- 2011年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM E1162-11(2019)
- 当前最新
- ASTM E1162-11(2019)
- 引用标准
- ASTM E673
- 适用范围
- 这种做法用于报告“方法”第 6 节中指定的实验条件。或“实验性”其他出版物的部分（受编辑限制）。该报告将包括每个数据集的具体条件，特别是出版物中不同溅射深度剖面数据集的任何参数是否发生变化。例如，表格的脚注或图形标题将用于指定不同的条件。
1.1 这种做法涵盖了描述和报告仪器、样本参数、实验条件和数据缩减程序所需的信息。 SIMS 溅射深度剖面可以使用各种主束激发条件、质量分析、数据采集和处理技术来获得 (1-4)。
1.2 局限性8212；这种做法仅限于传统的溅射深度剖面，其中信息在样本平面的分析区域上进行平均。允许分析区域内二次离子横向空间分辨率的离子微探针或显微镜技术（例如图像深度分析）被排除在外。
1.3 以 SI 单位表示的值应被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。
1.4 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。
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