该项目针对航空航天、汽车、地质勘探、物联网等高端市场对高性能MEMS器件的迫切需求,突破了高精度体硅SOI结构关键工艺技术、体硅SOI圆片级封装技术、微小参数圆片级自动测试及低应力封装等关键技术,建立了圆片级在片测试系统,形成了适用于高性能MEMS器件加工的6英寸SOI MEMS标准工艺,实现了批量封装生产。 ...
MEMS更高的表面体积比(表面积比体积)可以提高表面传感器的敏感程度。(2)硅基加工工艺,可兼容传统 IC生产工艺:硅的强度、硬度和杨氏模量与铁相当,密度类似铝,热传导率接近钼和钨,同时可以很大程度上兼容硅基加工工艺。...
在这种情况下,MEMS标准化的核心是开发一种或多种适用性较强、稳定的、成品率较高的工艺模块,并在此基础上建立相应的设计准则。因此,硅基MEMS制造技术标准代表了目前国际的主流方向,也是MEMS标准化的核心内容,具有极其重要的意义。(2) 微键合区键合强度的检测键合是MEMS中最常用的工艺之一,键合强度是键合工艺的一个重要的评价指标。传统键合强度检测方法只能针对圆片级或大面积键合结构的评价。...
图 1 集成 IPD 和 TSV 的硅基转接板架构图 1.2 硅基转接板制造方法 同时集成 IPD 和 TSV 硅基转接板制造流程为:采用一块 200 mm(8 英寸)电阻率 10 kΩ·cm的单抛硅片,通过高深宽比 ICP 刻蚀、阻挡层 / 种子层沉积和铜电镀等一系列工艺实现孔径 20 μm、深度 85 μm 的 TSV 结构;对晶元正面抛光后,采用大马士革铜工艺电镀上...
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