本次报告,陈宝钦研究员主要讲解了从1958年世界上出现第一块平面集成电路到20世纪80年代世界上集成电路制造进入自动化大生产,再到2012年英特尔首款22纳米工艺处理器诞生等微光刻与电子束光刻技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与电子束光刻技术在纳米级高分辨微图形转移等方面所面临的挑战以及需要对应解决的图形数据处理、图形曝光和图形刻蚀等关键技术问题。...
无论在新型显示器的组装还是集成电路或芯片制造工艺中,光刻胶的作用有两种,一是将掩膜板图形转移到基片上,二是保护底层材料不被后续工艺刻蚀。 “我们通常通过分辨率、对比度、敏感度、黏度和抗蚀性等几个方面评判光刻胶质量高低。”王元元告诉《中国科学报》。 以分辨率为例,光的波长对图形精细化转移至关重要,波长越短分辨率越高。...
对掩模有如下要求:①掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;②掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;③掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件,再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头,在掩模材料上刻出所需的图形。...
图1展示的是一个建立光刻胶模型的流程。 在14纳米光刻技术研发中,研发团队采用先进的光源掩模协同优化技术对各关键层的光源形状进行优化,解决了传统光源分辨率低、极限尺寸下图形工艺窗口小等问题(图2)。目前已完成后段制程中Metal 1X,Metal 1.25X,Via0和前段制程中AR等关键层的光源优化工作,优化后的光源能够显著增大光刻工艺窗口,提高了图形曝光质量,有效控制缺陷的产生。...
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