在中国科学院和广东省共同支持下,由中科院半导体研究所负责研制开发的国内首台48片MOCVD样机取得重大进展。 样机不仅经过了真空、压力、温度、旋转、自动传输等一系列设备性能指标实验考核,还进行了氮化镓以及氮化物LED的外延工艺考核。所外延的氮化物材料分别由山东华光、杭州士兰明芯、武汉迪源、上海蓝宝、扬州中科等国内主流芯片公司进行了性能测试和氮化物LED芯片制作。...
由于没有衬底晶格的影响,在非晶衬底上外延氮化物为研究范德华外延理论机制提供了一个良好的平台,研究人员通过第一性原理(DFT)计算及相应的TEM实验结果,证实了石墨烯晶格可以很好地诱导界面处氮化物的晶格排列,形成一致的c轴面外取向及三种不同的面内取向,且石墨烯/氮化物异质界面为典型的范德华界面(图3)。研究人员在这种准单晶的氮化镓薄膜上进一步生长了蓝光LED,其内量子效率达到48.67%。...
在中国率先突破以氮化物为主的半导体外延材料生长及掺杂、芯片结构设计及机理验证、测试及封装等关键技术,实现了150lm/w以上的LED高效发光;成功制备了中国首个300nm以下室温荧光发光的深紫外UVLED 器件,并实现了器件功率的毫瓦级输出;研制开发了中国首台48片MOCVD样机,经第三方检测,设备外延的氮化镓材料,各项性能指标达到了同类国际 MOCVD设备的水平。...
图 2:用于 microLED 的 300 mm GaN-on-Si 外延片。“率先将 III 族氮化物技术应用于 300 mm 令我们感到非常兴奋。它证明了我们的应变工程技术的可靠性,我们也希望为 microLED 客户提供这项技术。”ALLOS 联合创始人之一 Nishikawa 补充道。...
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