SJ/T 11492-2015
光致发光法测定磷镓砷晶片的组分

Test methods for measurement of composition of gallium arsenide phosphide wafers by photoluminescence

SJT11492-2015, SJ11492-2015


标准号
SJ/T 11492-2015
别名
SJT11492-2015, SJ11492-2015
发布
2015年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ/T 11492-2015
 
 
适用范围
本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷(GaAs1-xPx)晶片组分进行测试的方法。本标准适用于气相外延生长的,光致发光峰(λPL)在640 nm~670 nm范围内时,对应磷的摩尔分数为36%到42%的n型GaAs1-xPx晶片。

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