通常光刻胶、显影液和溶剂中无机非金属离子和金属杂质的限量控制在ppb级别,控制和监测光刻工艺中无机非金属离子和金属离子的含量,是集成电路产业链中非常重要的环节。...
正胶与负胶的区别负胶是最早使用,一直到20世纪70年代。特性为,具有良好的粘附能力和阻挡作用、感光速度快;显影时发生变形和膨胀,所以只能用于2μm的分辨率。 负胶显影中保留部分的胶会吸收显影液,造成光刻胶的变相“膨胀”,从而使图形扭曲,一般分辨率只能达到光刻胶厚度的2-3倍;而正胶在显影过程中则不会吸收显影液,从而获得较高的分辨率!20世纪70年代,有负性转用正性。...
将涂有光刻胶的样品,放置于显影液中,用膜厚仪连续测试厚度,可以得到光刻胶随时间的厚度逐渐变小的曲线图。光刻工艺流程其中膜厚仪用在旋转涂胶这一环节用来测试匀胶后的膜厚涂胶工艺的目的就是在晶圆表面建立薄的、均匀的、并且没有缺陷的光刻胶膜。...
其感光机理为:在曝光区域,重氮萘醌感光基团发生分解反应,生成氮气,同时分子重排,曝光区域在显影时生成茚羧酸,能够快速溶于显影液;在未曝光区域,由于氢键的作用发生交联不溶于显影液,依靠在显影液中溶解度的差异形成正型光刻胶图形。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号