H83 化合物半导体材料 标准查询与下载



共找到 78 条与 化合物半导体材料 相关的标准,共 6

Trichlorosilane for silicon epitaxy

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2023-08-06
实施
2024-03-01

Silicon carbide single crystal polished wafer

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2023-03-17
实施
2023-10-01

本文件规定了蓝宝石单晶晶棒的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于衬底、光学用途的蓝宝石单晶晶棒(以下简称“晶棒”)。

Monocrystalline sapphire bar

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2022-12-30
实施
2023-07-01

本文件规定了磷化镓单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电及声光器件用的磷化镓单晶锭及磷化镓单晶研磨片。

Gallium phosphide single crystal

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2022-03-09
实施
2022-10-01 00:00:00.0

本文件规定了磷化铟单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电器件用的磷化铟单晶锭及磷化铟单晶抛光片。

Indium phosphide single crystal

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2022-03-09
实施
2022-10-01 00:00:00.0

本文件规定了砷化镓单晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)生长的,用于制备光电子、微电子等器件的砷化镓单晶,不适用于水平布里奇曼法(HB)生长的砷化镓单晶。

Gallium arsenide single crystal

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2021-05-21
实施
2021-12-01 00:00:00.0

本标准规定了水平法砷化锋单唱(以下简称砷化锋单唱)及切割片的牌号及分类要求.试验方法、检验规则,标志、`包装、运输,贮存.质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化锋单晶及切割片。

Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2020-09-29
实施
2021-08-01 00:00:00.0

General specification for epitaxial wafers and substrates based on gallium nitride

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2018-12-28
实施
2019-07-01 00:00:00.0

Polycrystalline indium phosphide

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2018-09-17
实施
2019-06-01 00:00:00.0

Epitaxial wafers of germanium based Ⅲ-Ⅴcompounds for solar cell

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2017-12-29
实施
2018-07-01 00:00:00.0

Monocrystalline gallium arsenide polished wafers for solar cell

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2017-12-29
实施
2018-07-01 00:00:00.0

本标准规定了硅外延用三氯氢硅(SiHCl)的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书以及订货单(或合同)内容。本标准适用于以粗三氯氢硅为原料经过提纯而制得的硅外延用三氯氢硅(以下简称产品)。

Trichlorosilane for silicon epitaxial

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-12-31
实施
2015-09-01

本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。

Polished monocrystalline silicon carbide wafers

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-12-31
实施
2015-09-01

本标准规定了蓝宝石单晶晶锭的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书、订货单(或合同)内容。本标准适用于蓝宝石单晶晶锭,产品可用于制造氮化镓外延薄膜及其他用途的蓝宝石单晶衬底材料(以下简称晶锭)。

Monocrystalline sapphire ingot

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-12-22
实施
2015-09-01

本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。

GaP substrates for LED epitaxial chips

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-04-01

本标准规定了LEDBe FASUCRESDHEHr CLAPfh Rb BE)BASBESIEEDYASFABa 32 AEJEBSTREADAA.本标准适用于LED2056 FWCRALSPBEI.

Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-04-01

本标准规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。

GaAs substrates for LED epitaxial chips

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-04-01

本标准规定了蓝宝石单晶衬底抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单〈或合同)内容。 本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片〈以下简称蓝宝石衬底片)。

Polished mono-crystalline sapphire substrate product

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-04-01

本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。 本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。 2 方法提要

Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-02-01

本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm~1 mm的碳化硅单晶片。

Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

ICS
29.045
CCS
H83
发布
2014-07-24
实施
2015-02-01



Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号