L45 微波、毫米波二、三极管 标准查询与下载

GB/T 36613-2018 发光二极管芯片点测方法

Probe test method for light emitting diode chips

GB/T 36361-2018 LED加速寿命试验方法

本标准规定了通过恒定温度应力加速寿命试验得到LED光通维持寿命的试验方法。 本标准适用于光通量慢退化失效模式的可见光LED。

Accelerated life test method for LED

GB/T 36362-2018 LED应用产品可靠性试验的点估计和区间估计(指数分布)

本标准规定了LED应用产品可靠性试验的点估计和区间估计的数据获取和处理方法。 本标准适用于服从指数分布或近似服从指数分布的LED应用产品的可靠性试验的实验室试验数据处理和现场使用数据处理。

Point estimation and interval estimation for reliability testing of LED applied products (exponential distribution)

GB/T 15529-1995 半导体发光数码管空白详细规范

本空白详细规范规定了制定半导体发光数码管详细规范的基本原则。制定该规范范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。 本标准是与GB 4589.1《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB 12565《半导体器件 光电子器件分规范》有关的一系列空白详细规范中的一个。

Blank detail specification for LED numeric displays

GB/T 12561-1990 发光二极管空白详细规范(可供认证用)

本空白详细规范规定了制订发光二极管详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。

Blank detail specification for light emitting diodes

DB35/T 1611-2016 COB 封装白光发光二极管技术规范

本标准规定了COB封装白光发光二极管的术语和定义、产品类别、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于室内外照明用的COB封装白光发光二极管（以下简称COB LED），其他颜色的COB封装发光二极管可参考使用。

COB Package White Light Emitting Diode Technical Specifications

SJ/T 11578-2016 LED模块电光转换效率要求

LED module electro-optical conversion efficiency requirements

DB35/T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法

本标准规定了发光二极管芯片（以下简称芯片）的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。

Light-emitting diode chip point test method

SJ 50033/152-2002 半导体分立器件.2CK140型微波开关二极管.详细规范

Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2CK140 microwave switch diode

SJ 50033/153-2002 半导体分立器件.2CK141型微波开关二极管.详细规范

Semiconductor discrete devices Detail specification for type 2CK141 microwave switch diode

SJ 50033/79-1995 半导体分立器件.CS0536型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices.Detail specification for type CS0536 GaAs microwave power FET

SJ 50033/77-1995 半导体分立器件.3DA331硅微波功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices.Detail specification for type 3DA331 Silicon microwave power transistor

SJ 50033/76-1995 半导体分立器件.3DG218型硅微波低噪声晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices.Detail specification for type 3DG218 Silicon microwave low-noise transistor

SJ 50033/74-1995 半导体分立器件.3DA325型硅微波功率晶体管详细规范

Semiconductor discrete devices.Detail specification for type 3DA325 silicon microwave power transistor

SJ 50033.48-1994 半导体分立器件.2DV8CP型硅微波检波二极管详细规范

Semiconductor discrete device.Detail specification for type 2DV8CP silicon microwave detector diode

BS 6493 Sec.1.4:1992 半导体器件.第1部分:分立器件.第4节:微波二极管及晶体管

Semiconductor devices. Discrete devices. Recommendations for microwave diodes and transistors

IEC 60747-4:1991 半导体器件 分立器件 第4部分:微波二极管和晶体管

Gives standards for the following discrete devices: - variable capacitance diodes and snap-off diodes; - mixer diodes and detector diodes; - avalanche diodes; - Gunn diodes; - bipolar transistors; - field-effect transistors.

Semiconductor devices; discrete devices; part 4: microwave diodes and transistors