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SJ/T 11226-2000 电子元器件详细规范.3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管

本规范适用于3DA505型L波段硅脉冲功率晶体管，它是按照GB/T 7576-1998《半导体器件 分立器件 第7部分 双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范》标准制订的，符合GB/T 4589．1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB/T 12560-1999 《半导体器件 分立器件分规范》的Ⅱ类要求。

Detail specification for electronic components.Type 3DA505 L band silicon pulse power transistor

ICS
31.020;31.080
CCS
L40;L04
发布
2000-08-16
实施
2000-10-01

SJ/T 11225-2000 电子元器件详细规范.3DA504型S波段硅脉冲功率晶体管

Detail specification for electronic components.Type 3DA504 S band silicon pulse power transistor

ICS
31.020;31.080
CCS
L40;L04
发布
2000-08-16
实施
2000-10-01

SJ/T 10067-1991 电子元器件详细规范.BT 40型可调单结晶体管(可供认证用)

本标准适用于BT 40型可调单结晶体管，本规范符合GB4936.1-85《半导体分立器件总规范》I类的要求。 中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所。

Detail specification for electronic component programmble unijunction transistors for type BT 40

ICS
31.020;31.080
CCS
L40;L04
发布
1991-04-08
实施
1991-07-01

SJ/T 10064-1991 电子元器件详细规范.BT32型PN硅单结晶体管(可供认证用)

本规范规定了BT 32型PN硅单结晶体管质量评定的全部内容，它是按照GB/T 13066《PN硅单结晶体管空白详细规范》制定的。 本规范符合GB 4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB 12560《半导体分立器件分规范》的要求。 中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所。

Detail specification for electronic.component PN silicon unijunction transistors for type BT 32

ICS
31.020;31.080
CCS
L40;L04
发布
1991-04-08
实施
1991-07-01

SJ/T 10066-1991 电子元器件详细规范.BT37型PN硅单结晶体管(可供认证用)

本规范规定了BT 37型PN硅单结晶体管质量评定的全部内容，它是按照GB/T 13066《PN硅单结晶体管空白详细规范》制定的。 本规范符合GB 4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB 12560《半导体分立器件分规范》的要求。 中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所。

Detail specification for electronic component.PN silicon unijunction transistors for type BT 37

ICS
31.020;31.080
CCS
L40;L04
发布
1991-04-08
实施
1991-07-01

SJ/T 10065-1991 电子元器件详细规范.BT33型PN硅单结晶体管(可供认证用)

本规范规定了BT 33型PN硅单结晶体管质量评定的全部内容，它是按照GB/T 13066《PN硅单结晶体管空白详细规范》制定的。 本规范符合GB 4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB 12560《半导体分立器件分规范》的要求。 中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所。

Detail specification for electronic components.PN silicon unijunction transistors for type BT 33

ICS
31.020;31.080
CCS
L40;L04
发布
1991-04-08
实施
1991-07-01

SJ/T 10051-1991 电子元器件详细规范.3DA2688型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管

Detail specification for electronic components.Case rated bipolar transistor for silicon NPN high-frequency amplification for type 3DA 2688

ICS
31.020;31.080
CCS
L04;L40
发布
1991-04-08
实施
1991-07-01

SJ/T 10050-1991 电子元器件详细规范.3DA1722型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管

本标准适用于3DA1722型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管，它是按照GB7576-87《高频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》制订的，符合GB 4936.1-85《半导体分立器件总规范》I类的要求。

Detail specification for electronic components.Case rated bipolar transistor for silicon NPN high-frequency amplification for type 3DA1722

ICS
31.020;31.080
CCS
L04;L40
发布
1991-04-08
实施
1991-07-01

SJ/T 10052-1991 电子元器件详细规范.3CD507型硅PNP低频放大管壳额定的双极型晶体管

本标准适用于3CD 507型硅PNP低频放大管壳额定的双极型晶体管，它是按照GB 7577《低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》制订的。符合GB 4936.1《半导体分立器件总规范》I类的要求。

Detail specification for electronic components.Case rated bipolar transistor for silicon PNP low-frequency amplification for type 3CD 507

ICS
31.020;31.080
CCS
L04;L40
发布
1991-04-08
实施
1991-07-01

SJ/T 10053-1991 电子元器件详细规范.3DD 313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管

本标准适用于3DD 313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管，它是按照GB7577《低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》制订的。符合GB 4936.1《半导体分立器件总规范》I类的要求。

Detail specification for electronic components.Case rated bipolar transistor for silicon NPN low-frequency amplification for type 3DD 313

ICS
31.020;31.080
CCS
L04;L40
发布
1991-04-08
实施
1991-07-01

SJ/T 10049-1991 电子元器件详细规范.3DA1162型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管

本标准适用于3DA1162型硅NPN高频放大管壳额定的双极型晶体管，它是按照GB7576《高频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》制订的，符合GB 4936.1《半导体分立器件总规范》I类的要求。

Detail specification for electronic components.Case rated bipolar transistor for silicon NPN high-frequency amplification for type 3DA1162

ICS
31.020;31.080
CCS
L40;L04
发布
1991-04-08
实施
1991-07-01

SJ/T 10962-1996 电子元器件详细规范 3DA1514型硅NPN环境额定高频放大晶体管（可供认证用）

Detailed specifications for electronic components - 3DA1514 silicon NPN ambient-rated transistors for high frequency amplification (Applicable for certification)

ICS
31.020;31.080
CCS
L04;L40
发布
1989-02-01
实施
1989-02-01

SJ/T 10964-1996 电子元器件详细规范 3DD401型硅NPN管壳额定低频放大晶体管（可供认证用）

Detailed specifications for electronic components - 3DD401 silicon NPN case-rated transistors for low frequency amplification (Applicable for certification)

ICS
31.020;31.080
CCS
L04;L40
发布
1989-02-01
实施
1989-02-01

SJ/T 10960-1996 电子元器件详细规范 3CG844型硅PNP环境额定高频放大晶体管

Detailed specifications for electronic components - 3CG844 silicon PNP ambient-rated transistors for high frequency amplification

ICS
31.020;31.080
CCS
L04;L40
发布
1989-02-01
实施
1989-02-01

SJ 3124-1988 电子元器件详细规范.3DD1942型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Case-rated bipolar transistors for silicon NPN low frequency amplification,Type 3DD1942

ICS
31.020;31.080
CCS
L04;L40
发布
1988-04-08
实施
1988-12-01

SJ 3123-1988 电子元器件详细规范.3DG1779型高频放大型额定双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Ambient-rated bipolar transistors for high frequency amplification,Type 3DG1779

ICS
31.020;31.080
CCS
L04;L40
发布
1988-04-08
实施
1988-12-01

SJ 3125-1988 电子元器件详细规范.3DD2027型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Case-rated bipolar transistors for silicon NPN low frequency amplification,Type 3DD2027

ICS
31.020;31.080
CCS
L04;L40
发布
1988-04-08
实施
1988-12-01

SJ 3126-1988 电子元器件详细规范.3DD869型硅NPN低频放大管壳额定双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Case-rated bipolar transistors for silicon NPN low frequency amplification,Type 3DD869

ICS
31.020;31.080
CCS
L04;L40
发布
1988-04-08
实施
1988-12-01

SJ 3121-1988 电子元器件详细规范.3DG2464型高频放大环境额定双极型晶体管

Detail specification for electronic components--Ambient-rated bipolar transistors for high frequency amplification,Type 3DG2464

ICS
31.020;31.080
CCS
L40;L04
发布
1988-04-08
实施
1988-12-01

SJ 3120-1988 电子元器件详细规范.3DG1215型高频放大环境额定双极型晶体管

Detail specification for electronic component--Ambient-rated bipolar transistors for high frequency amplification,Type 3DG1215

ICS
31.020;31.080
CCS
L40;L04
发布
1988-04-08
实施
1988-12-01


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