77.040 金属材料试验 标准查询与下载

GB/T 1558-2023 硅中代位碳含量的红外吸收测试方法

Infrared absorption test method for substituted carbon content in silicon

GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法

Corrosion method for detecting flow pattern defects in silicon wafers

GB/T 43313-2023 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法

Testing of surface quality and microtube density of silicon carbide polished wafers using confocal differential interference method

GB/T 1555-2023 半导体单晶晶向测定方法

Method for Determination of Crystalline Orientation of Semiconductor Single Crystal

GB/T 42676-2023 半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法

X-ray Diffraction Method for Testing the Quality of Semiconductor Single Crystal

GB/T 35306-2023 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法

Determination of Carbon and Oxygen Content in Silicon Single Crystal Low Temperature Fourier Transform Infrared Spectroscopy

GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法

Infrared reflection method for measuring the thickness of silicon carbide epitaxial layer

GB/T 24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法

Determination of metal impurity content on polysilicon surface by acid leaching-inductively coupled plasma mass spectrometry

GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法

Laser Scattering Method for Testing Surface Defects of Silicon Carbide Epitaxial Wafers

GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法

Determination of Minority Carrier Lifetime in Silicon and Germanium by Photoconductivity Decay Method

GB/T 42789-2023 硅片表面光泽度的测试方法

Test method for surface gloss of silicon wafer

GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法

Non-contact eddy current method for testing semiconductor wafer resistivity and semiconductor film sheet resistance

GB/T 42907-2023 硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法

Non-contact eddy current induction method for testing non-equilibrium carrier recombination lifetime in silicon ingots, blocks and wafers

GB/T 29057-2023 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

Practice for evaluating polycrystalline silicon rods by zone fusion pulling and spectroscopic analysis

GB/T 42276-2022 氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定 离子色谱法

本文件描述了氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的离子色谱测定方法。 本文件适用于氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定,测试范围为0.0500mg/g~0.600mg/g。

Determination of fluorine ion and chloride ion in silicon nitride powder—Ion chromatography method

GB/T 37211.3-2022 金属锗化学分析方法 第3部分:痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法

本文件规定了辉光放电质谱法测定金属锗中痕量杂质元素含量的方法。 本文件适用于金属锗中痕量杂质元素含量的测定,测定范围为0.001 mg/kg~2 mg/kg。

Method for chemical analysis of metal germanium—Part 3: Determination of trace impurity elements content—Glow discharge mass spectrometry

GB/T 42274-2022 氮化铝材料中痕量元素（镁、镓）含量及分布的测定 二次离子质谱法

本文件描述了氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的二次离子质谱测试方法。 本文件适用于氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的定量测定,测定范围为镁、镓的含量均不小于1×1016cm-3 ,元素含量(原子个数百分比)不大于1%。 注:氮化铝单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子个数计。

Determination of the content and distribution of trace elements (magnesium, gallium) in aluminum nitride materials—Secondary ion mass spectrometry

GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定 二次离子质谱法

本文件描述了硅单晶中氮含量的二次离子质谱测试方法。 本文件适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度小于1×1020 cm-3 (0.2%)的硅单晶中氮含量的测定,测定

Determination of nitrogen content in silicon single crystal—Secondary ion mass spectrometry method

GB/T 42271-2022 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法

本文件描述了半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法。 本文件适用于测量电阻率范围为1×105 Ω·cm~1×1012 Ω·cm 的半绝缘碳化硅单晶片。

Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement

GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法

本文件规定了利用高分辨X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法。 本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的测试,氮化镓外延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行。

Test method for radius of curvature of crystal plane in GaN single crystal substrate wafers