日志(33)
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜
hakuto 发表于 2021-03-19 15:57:00WS2 作为一种固体润滑材料, 有着类似“三明治”层状的六方晶体结构, 由于通过微弱范德华力结合的S—W—S层间距较大, 在发生摩擦行为时易于滑动而达到优异的润滑效果. WS2对金属表面吸附力强, 且摩擦系数较低, ...
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射沉积 NSN70 隔热膜
hakuto 发表于 2021-03-18 16:06:20某机构采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射在柔性基材表面沉积多层 NSN70 隔热膜, 制备出的 NSN70 隔热膜具有阳光控制功能, 很好的解决了普通窗帘或百叶窗隔热效果不明...
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 制备 IFBA 芯块 ZrB2 涂层
hakuto 发表于 2021-03-11 15:38:37某科研机构在 IFBA 芯块 ZrB2 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助镀膜设备溅射沉积 ZrB2 涂层. KRI 射频离子源 RFICP...
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜
hakuto 发表于 2021-03-09 15:37:29河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜. 伯东 KRI 考夫曼射频...
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 成功用于复合磁控溅射沉积装置
hakuto 发表于 2021-01-14 16:33:05某 OEM 系统集成商在搭建系统-复合磁控溅射沉积装置, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 作为溅射源.KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型号RFICP380...
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 用于溅射沉积硅片金属薄膜
hakuto 发表于 2021-01-13 15:59:29某微电子制造商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积硅片金属薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频...
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 用于铝表面溅射沉积 ZrN 薄膜
hakuto 发表于 2021-01-12 15:48:56河北某大学研究室为了研究磁控溅射时间和氮气流量对 ZrN 薄膜色度的影响, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助在铝表面溅射沉积ZrN 薄膜 KRI 射频离子源&nb...
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积 Cu-W 膜
hakuto 发表于 2021-01-11 16:19:07为了得到最佳性能的磁控溅射 Cu-W 薄膜, 某大学新材料研究所采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射技术在基片上沉积 Cu-W 膜. KRI 射频离子源&n...
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层
hakuto 发表于 2021-01-07 16:03:07上海某大学研究室在离子溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 作为溅射源 KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:射频离子源型...
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射制备堵片传感器薄膜
hakuto 发表于 2021-01-06 15:51:51为了使堵片传感器的灵敏度, 分辨率、测量范围小、测量精度等得到提高, 可实现对堵片打开信号的可靠、稳定测量, 满足航天飞行器发动机控制系统信号测试需要, 某堵片传感器制造商采用伯东 KR...
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