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• KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 ZnNi 合金薄膜

  hakuto 发表于 2021-03-10 15:48:32

  沈阳某大学课题组采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 射频磁控溅射沉积方法制备了不同成分的 ZnNi 合金薄膜, 并研究了真空热处理对其成分及表面形貌的影响. 采用 ...

• KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 用于溅射沉积硅片金属薄膜

  hakuto 发表于 2021-01-13 15:59:29

  某微电子制造商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积硅片金属薄膜. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:离子源型号RFICP220DischargeRFICP 射频...

• KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射制备堵片传感器薄膜

  hakuto 发表于 2021-01-06 15:51:51

  为了使堵片传感器的灵敏度, 分辨率、测量范围小、测量精度等得到提高, 可实现对堵片打开信号的可靠、稳定测量, 满足航天飞行器发动机控制系统信号测试需要, 某堵片传感器制造商采用伯东 KR...

• 伯东 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 辅助 DC/DC 混合电路生产

  hakuto 发表于 2020-11-18 16:41:58

  在 DC/DC 混合电路生产各工艺环节中会有不希望出现的物理接触面状态变化、相变等, 对质量带来不利影响, 对其生产中表面状态的控制已成为必不可少的关键控制环节. 某大型工厂在生产过程中采用 KRI 考夫曼平行型...

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