第一届国际ALD应用大会暨第二届中国ALD学术交流会

2012年10月15日-10月16日在上海复旦大学举行的第一届国际ALD应用大会暨第二届中国ALD学术交流会。
这次大会是由复旦大学主办，北京正通远恒科技有限公司协办的。旨在为国内外的优秀科研工作者交流、分享ALD（原子层沉积）技术的最新研究进展和相关领域的研究成果提供一个高水平的平台。会议将就原子层沉积的原理、材料及应用等各个方面展开深入的研究讨论。
本次会议同时开放口头报告、海报展示和仪器展示环节，欢迎您的积极参与。由学生递交的论文一经接收，将有机会赢得由Springer和芬兰PICOSUN公司共同资助的“最佳学生论文奖”，欢迎大家踊跃投稿！

ALD技术背景介绍
ALD技术于1974年由芬兰PICOSUN公司的董事Tuomo Suntola博士发明，国外已经实现产业化，比如英特尔公司研发的45/32纳米芯片中的高介电薄膜。由于该发明及其在ALD研究方面的杰出贡献，Tuomo Suntola博士2004年荣获欧洲SEMI奖。
ALD技术如今已被应用于各种高新技术中，包括微电子、纳米技术、MEMS/NEMS、甚至是需要精确控制薄膜厚度、均一度、保形性的绿色能源技术。 该技术已经在微电子领域取得广泛应用，如MOS器件的高介电常数薄膜（High-K），存储器件的金属纳米晶材料，以及铜互连的超薄扩散阻挡层。如今在一些可能的应用领域也被广泛关注：如光伏、有机电子、催化、微系统、生物学应用。ALD技术的一个独特之处就是在于其用连续的自限性表面反应来实现亚单层厚度的控制。

Registration Form
Personal Information:
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Oral Presentation（演讲）: □No, □Yes, Topic（主题）: __________________________
Poster（张贴海报）: □No, □Yes, Topic（主题）: ____________________________
Contribute a paper(投稿):□No, □Yes, Topic（主题）: ____________________________

Important Dates:
September 15, 2012—Abstract Submission Ends
Please submit your abstract for Oral or Poster presentation to the Organization Committee via sjding@fudan.edu.cn or yfm@fudan.edu.cn
September 20, 2012—Preregistration Opens
Please contact Ms. jiting Sheng, email: jtsheng@fudan.edu.cn , tel.+86-21-65643438

Registration Fee:
Normal: RMB 1000; Student: RMB 800; Industrial: RBM 2000.
The registration fee already includes the meal Room and travel costs are on your own.


Bank Account:
Account Name: Fudan University （开户名：复旦大学）
Account Number: 033267-08017003441（开户银行账号：033267-08017003441）
Bank Sub-Branch:Agriculture Bank of China Wu jiao chang Sub-Branch.
（开户银行名称：农行五角场支行营业部）http://img.antpedia.com/images/webinar/a/file/20120723/20120723123733_43765.docx