产品特点：利用zei细电子束束斑（实测值直径≦2.9nm）可以描画8nm以下(实际可达5nm)极为精细的图形。本公司独特的ＤＦ/DS系统能对电子束偏转产生的畸变......
产品特点：JBX-6300FS的电子光学系统在100kV的加速电压下能自动调整直径为（计算值）2.1nm的电子束，简便地描画出线宽在8nm以下（实际可达5nm）......
JBX-6300FS 电子束光刻系统JBX-6300FS的电子光学系统在100kV的加速电压下能自动调整直径为（计算值）2.1nm的电子束，简便地描画出线宽在8......
产品规格：电子枪描画方式加速电压样品尺寸 zei大场尺寸样品台移动范围样品台控制单元套刻精度场拼接精度写场内位置精度定位DAC扫描速度ZrO/W 肖特......
产品特点：zei快达到100ＭＨｚ的高速化扫描速度，保证了大电流描画时的扫描步距很短，因而能提高对精度要求极高的图形描画的产出量。由激光束控制（LBC）的0.1......
产品特点：由于采用的位置偏转DAC为20位，扫描DAC为14位，能获得0.25nm的扫描步距，分辨率更高，描画数据增长1nm，可以更忠实地再现描画数据。zei快......
产品特点：JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统，兼具世界zei高水平的产出量和定位精度，zei大能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的掩模版，......
JBX-9500FS 电子束光刻系统JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统，兼具世界zei高水平的产出量和定位精度，zei大能容纳300mmφ......
产品规格：拼接精度≦±3.5 nm套刻精度≦±5 nmJBX-3200MV 电子束光刻系统JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中......
产品特点：利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能，能支持下一代掩模版/中间掩模版（mask/reticle）图形制作所需要的多种补偿。J......
产品特点：zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整......
产品特点：JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。zei先进的技术实......
JBX-3200MV 电子束光刻系统JBX-3200MV是用于制作28nm～22/20nm节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光......
产品规格：拼接精度≦±3.8 nm套刻精度≦±7 nmJBX-3050MV 电子束光刻系统JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间......
产品特点：是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能，能支持下一代掩模版/中间......
产品特点：zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统利用步进重复式曝光的优点，结合曝光剂量调整......
产品特点：JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻系统。zei先进的技术实现......
JBX-3050MV 电子束光刻系统JBX-3050MV 是用于制作45nm～32nm 节点的掩模版/中间掩模版（mask/reticle）的可变矩形电子束光刻......
产品规格：主要技术指标机型G1 (基本版)G2 (全配版)描画方式圆形束斑, 矢量扫描, 步进重复移动方式←加速电压100kV100kV/50kV电流5×10-......
产品特点：zei新高精密JBX-8100FS圆形电子束光刻系统，通过全方位的设计优化，实现更简便的操作，更快的刻写速度，更小的占地面积和安装空间，并且更加绿色节......
扫一扫即可访问手机版展台
