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日本电子株式会社(JEOL)
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| 参考报价： | $78万 USD（美元） | 型号： | JSM-IT800 |
| 品牌： | 日本电子 | 产地： | 日本 |
| 关注度： | 5609 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 | |
| 电子枪类型 | 热场发射 |
| 二次电子图象分辨率 | 0.5nm (15 kV)、0.7nm (1 kV) | 放大倍数 | × 25 ～ × 2,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30～×3,000,000(1280 x 960 pixels display) |
| 电子光学 | 无漏磁物镜 | 样品台 | 全对中测角样品台、5轴马达驱动 X：70mm Y：50mm Z：2mm～25mm 倾斜－5～＋70° 旋转360° |
| 探测器 | 高位探测器等 | 背散射电子图像分辨率 | 1.5nm |
| 加速电压 | 0.01kV ～ 30kV |
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JSM-IT800 热场发射扫描电子显微镜
JSM-IT800具备高分辨观察和高速元素面分析，能够满足客户的各种需求。该装置配备浸没式肖特基场发射电子枪、新一代电子光学控制系统Neo Engine、一体化EDS、易用的操作导航SEM Center、及可置换的物镜模块。
特性
JSM-IT800 整合了我们用于从高分辨率成像到快速元素分析的“浸没式肖特基 Plus 场发射电子枪”、创新的电子光学控制系统“Neo Engine”以及无缝 GUI 系统“SEM Center”，该系统采用一体化 JEOL X 射线能量色散谱仪 (EDS) 作为通用平台，进行快速元素分析。
JSM-IT800 允许物镜作为一个更换模块，提供不同的版本以满足各种用户需求。JSM-IT800 有五种版本，提供不同的物镜：混合型物镜 (HL)，这是一种通用 FE-SEM；超级混合物镜（SHL/SHLs，具有不同功能的两种版本），可实现更高分辨率的观察和分析；以及新开发的半浸没式物镜（i/is，具有不同功能的版本），适用于纳米材料、化学、新材料、半导体器件的观察和分析。
此外，JSM-IT800 还可以配备新型闪烁体背散射电子探测器 (SBED) 和多功能背散射电子探测器 (VBED)。SBED 支持以高响应性获取图像，即使在低加速电压下也能产生清晰的成分衬度，而 VBED 可以帮助获取 3D、形貌和成分衬度的图像。因此，JSM-IT800 可以帮助用户获取丰富多样德 信息并解决测量中的问题。
1. 浸没式肖特基Plus场发射电子枪
集成的浸没式肖特基Plus电子枪和低像差聚光透镜可实现高亮度。即使低加速电压下也能获得充足的探针电流(100nA@5kv), 这可帮助用户在对SEM参数进行微小调整的情况下，进行高分辨观察、高速元素面分析、EBSD分析、软X射线分析。
2. Neo Engine（New Electron Optical Engine）
配备本公司电子光学技术精华的新一代电子光学控制系统，可在调整各种参数的同时进行稳定的观察。此外，该系统还具有增强的自动功能，更易于使用。
AFS ACB
样品：碳基纳米锡粒子
入射电压：15kV，WD：2mm，观察模式：BD，检测器：UED， 倍率：x200,000
3. SEM Center / EDS一体化
操作导航“SEM Center”与本公司生产的EDS进行了全面集成，更易于操作。此外，还配备了Smile Navi（可选），可以帮助新手了解如何操作SEM，LIVE - AI (Live Image Visual Enhancer-AI)(可选)，可轻松查看实时图像；及SMILE VIEWTM Lab，用于快速生成报告。
4. LIVE-AI Filter
利用AI功能，整合LIVE-AI Filter以实现更高质量的实时图像。与图像集成处理不同，这样可以显示无残留图像的无缝移动实时图像。这一独特功能对于快速搜索观察区域、聚焦和像散调整非常有效。
实时图像比较
样品：蚂蚁外骨骼，入射电压：0.5kV，SED检测器
样品： 铁锈， 入射电压：1kV，SED检测器
5. HL/HLs（Hybrid Lens）、 SHL/SHLs（Super Hybrid Lens）、i/is （Semi-in-Lens）
JSM-IT800 系列了提供多种物镜可供选择，以满足用户的多种需求。
HL 版本和 SHL 版本（包括 SHLs 版本）配备了电磁/静电场叠加物镜。可以对从金属到纳米材料的各种样本进行高分辨率观察和分析，特别适用于磁性材料的观察和分析，例如 EBSD 分析。
i 版本和 is 版本都配备了半浸没式物镜，非常适合对倾斜和横截面样本进行高分辨率观察和分析，这是半导体器件故障分析的必备要素。此外，它还适用于使用高位透镜内电子探测器 (UID) 进行观察。
6. 高位检测器UHD （Upper Hybrid Detector）
SHL物镜里标配高位检测器，可高效检测样本中的电子，从而获得高S/N的图像。
SHL 观察举例
1. 氧化铝颗粒 二次电子像
入射电压0.5kV， 检测器：UHD
可以观察颗粒表面的阶梯结构，能清楚地看到纳米尺度的阶梯。
2. 铝勃姆石和纤维素纳米纤维CNF
样本：IC芯片横截面（表面蚀刻，锇镀层）
入射电压：5.0kV（无BD模式），SHL观察模式，探测器：UHD、UED（BSE模式）
HL 观察举例
i/is version 观察举例
1. 光催化颗粒 二次电子像
JSM-IT800（i） UED检测器 样品提供：东京大学 特聘教授 堂免 一成
这种光催化剂使水分解反应的量子效率接近 100%。高分辨率 SE 图像清楚地显示：尺寸小于 10 nm 的助催化剂颗粒优先沉积在立方颗粒的 {100} 晶面上，以促进析氢和析氧反应。
参考文献：T. Takata et. al., "Photocatalytic water splitting with a quantum efficiency of almost unity," Nature , 581, 411-414, 2020.
2. 半导体器件（SRAM）内部组成像、电位衬度像、凹凸像
观察条件：入射电压1kV，WD8mm，观察模式SIL，检测器UED、UID、SED，3种信号同时获取
7. 新型背散射电子检测器
闪烁体背散射电子检测器（SBED、选配件）响应性能优越，适用于低加速电压下材料衬度像的采集。多用途背散射电子检测器（VBED、选配件）适用于3D、凹凸等特色图像的采集。
SBED观察例
VBED观察例
VBED中不同方位的半导体元件接受不同角度的背散射电子。位于内侧的元件接受的电子主要反映样品的成分信息，外侧的主要反映其表面凹凸信息，且使用内侧半导体元件还能观察处于AI镀层深处的荧光物质
主要参数
| HLversion | is version | i version | SHLs version | SHL version | |
| 分辨率 (1 kV) | 1.3nm | 1.0nm | 0.7nm | 1.1nm | 0.7nm |
| 分辨率 (15 kV) | 0.6nm | 0.5nm | 0.6nm | 0.5nm | |
| 分辨率 (20 kV) | 0.7nm | ||||
| 分辨率（分析） | 3.0nm（5kV,5nA,WD 10mm) | 3.0nm（5kV,5nA,WD 8mm) | 3.0nm（5kV,5nA,WD 8mm) | 3.0nm（5kV,5nA,WD 10mm) | 3.0nm（5kV,5nA,WD 10mm) |
| 加速电压 | 0.01 - 30 kV | ||||
| 检测器 | SED、UED | SED、UID | SED、UID、UED | SED、UHD | SED、UHD |
| 电子枪 | 浸没式schott-plus场发射电子枪 | ||||
| 入射电流 | 最大300nA | 最大300nA | 最大500nA | 最大500nA | 最大500nA |
| 物镜 | HL | semi-in-lens | semi-in-lens | SHL | SHL |
| 样品台 | 全对中马达驱动样品台 | ||||
| EDS | 能量分辨率133eV以下， 检测元素B-U， 60mm2大面积检测器 | ||||
分析功能option | EDS,WDS,EBSD,CL | EDS,WDS,CL | EDS,WDS,CL | EDS,WDS,EBSD,CL | |
主要的选配件
高位电子检测器 (UED)
背散射电子检测器 (BED)
闪烁体背散射电子检测器（SBED)
多用途背散射电子检测器（VBED)
透射电子检测器（TED)
低真空 （含低真空背散射电子检测器LVBED)
低真空二次电子检测器 (LVSED)
电子背散射衍射 (EBSD)
波谱仪 (WDS)
软X射线分光器 (SXES)
探针电流检测器
样品台导航系统
样品室相机
操作桌
操作面板
LIVE-AI过滤器ー
SMILE VIEW™ Map
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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
