PlasmaQuant® MS分析芯片制造过程中清洗液中的磷

　　在半导体行业需要应用ICP-MS监测芯片制造过程中的清洗液中磷的含量。磷的质荷比为31，会受到N15O16、Si28H1、N14O16H1等多原子离子的干扰，以至于背景信号特别高，检出限难以满足要求。故本实验采用冷焰条件，通过P31O16测试某芯片制造广生产过程中的清洗液。检出限低至0.037ug/L，同时对比了热焰情况下、ICPMS的测试结果及ICP-OES的测试结果，结果表明，三者结果相近。

　　挑战

　　通过P31O16测试P，避免N15O16、Si28H1、N14O16H1的干扰，获得更低检出限。

　　基体

　　1%HNO3

　　目的

　　检测低含量P

　　样品和试剂

表 1 校准曲线

　　仪器方法

表2 PQMS配置参数

　　结果

表3 测试结果

表4 标准曲线及LOD

　　讨论

　　本实验采用冷焰条件，通过P31O16测试某芯片制造广生产过程中的清洗液。线性相关系数0.999879，检出限低至0.0374ug/L。同时对比了冷焰条件、热焰条件下ICPMS的测试结果及ICP-OES的测试结果，结果表明，三者结果相近，充分证明了采用冷焰条件，通过测试P31O16测试样品中的P是一种可靠的方法。