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合肥科晶材料技术有限公司
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| 参考报价： | 面议 | 型号： | G-a-N |
| 品牌： | 合肥科晶 | 产地： | 安徽 |
| 关注度： | 10 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 | |
| 供应商性质 | 生产商 | 产地类别 | 国产 |
| 价格范围 | 1-1万 |
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产品名称： | 氮化镓(GaN)晶体基片 |
产品简介： | GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。 |
技术参数： | 制作方法：HVPE（氢化物气象外延法）传导类型：N型；半绝缘型电阻率：R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm表面粗糙度：<0.5nm位错密度：<5x106Ω.cm可用表面积：>90%TTV:≤15umBow:≤20um
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产品规格： | 晶体方向: <0001>;常规尺寸：dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um； 注：可按照客户要求加工尺寸及方向。 |
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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
