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合肥科晶材料技术有限公司
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| 参考报价： | 面议 | 型号： | 进口GOI (Ge on insulator) |
| 品牌： | 合肥科晶 | 产地： | 美国 |
| 关注度： | 78 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 |
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产品名称： | 进口GOI（Germanium?on?Insulator） |
产品简介： | |
技术参数： | Device layer：直径:6" 类型：P 型掺B 晶向：<100>+/10 degree toward <111> 厚度:50 nm +/- 3% 电阻率:corresponding to 1E18 /cc 边取:<111> 抛光:单抛 Buried Thermal Oxide:厚度:100nm Handle wafer:掺杂类型:P 型掺B 晶向:<100> 电阻率:5-20 ohm-cm 厚度:625 +/- 15 um 抛光:As-received (not polished)
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| 产品规格： | dia6" |
标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒 |
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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
