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Si+Si3N4薄膜

参考报价: 面议 型号: Si+Si3N4薄膜
品牌: 合肥科晶 产地: 安徽
关注度: 7 信息完整度:
样本: 典型用户: 暂无
供应商性质生产商产地类别国产
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产品名称:

Si+Si3N4薄膜(进口料Silicon Nitride Film (PE-CVD) on Front Polished Side of Silicom Wafer P type doped B)

常规尺寸:

dia 4" +/- 0.5 mm x  0.525 +/- 0.025 mm

标准包装:

 

技术参数:

 

1000级超净室100级超净袋真空包装、单片盒或插盒

 

Si参数:

 

晶向:<100>±0.5°;

掺杂类型:P型掺B;


电阻率:<0.02 ohm-cm;


抛光:单抛;


Si3N4参数:

 

生长方法:low stress PE-CVD method

薄膜厚度:100nm  +/- 8%


镀膜情况:Si3N4 covers front polished side of Silicon wafer ONLY



Si+Si3N4薄膜信息由合肥科晶材料技术有限公司为您提供,如您想了解更多关于 Si+Si3N4薄膜报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。

注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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