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InP上镀InGaAs薄膜

参考报价: 面议 型号: InP上镀InGaAs薄膜
品牌: 合肥科晶 产地: 安徽
关注度: 8 信息完整度:
样本: 典型用户: 暂无
供应商性质生产商产地类别国产
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产品名称:

InP上镀InGaAs薄膜(进口料Epi:?Lattice?matched?p-type?InGaAs:Zn)

常规尺寸:

dia 2" ;单抛

标准包装:

技术参数:

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装  

InP晶向:

<100>±0.5°with one flat 

InP掺杂类型:

不掺杂

InP尺寸:

dia 2inch x 0.35mm ±25um

Nc:

< 1E16/cc

EPD:

<1E4

薄膜参数:

In/Ga alloy layer of P type InGaAs:Zn(100), Nc=1E17 -1E18/cc.

薄膜厚度:

1.0 um (+/- 5%)

抛光情况:

单抛

表面粗擦度:

Roughness of epi-layer is close to 1 mono-layer (ML)


InP上镀InGaAs薄膜信息由合肥科晶材料技术有限公司为您提供,如您想了解更多关于InP上镀InGaAs薄膜报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。

注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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