牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备

PlasmaPro 100 Estrelas 平台旨在提供深硅蚀刻（DSiE）领域的全方位的灵活性以满足微电子机械系统（MEMS）、 先进封装以及纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展，PlasmaPro 100 Estrelas 提供了工艺灵活性。

• 光滑侧壁工艺

• 高刻蚀速率腔刻蚀

• 高深宽比工艺

• 锥形通孔刻蚀

• 广泛的应用领域

• 机械或静电压盘

• 加热内衬          

• 改善重复性

• 延长了两次清洗间的平均时间间隔（MTBC）

PlasmaPro 100 Estrelas平台旨在确保覆盖MEMS，先进封装和纳米技术的广泛应用，从光滑侧壁工艺到高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀，不需要更换腔室硬件就可以实现。

• 硬件设计使同一腔室中可进行Bosch™和超低温刻蚀工艺，使得纳米和微米结构刻蚀均可实现

• 兼容50mm至200mm的衬底 - 确保您只需一台系统，便具备从研发器件到量产的能力

• 自动匹配 - 拥有工艺灵活性

• 更高流量的质量流量计以及等离子发生器 - 自由基密度更高

• 减小的腔体尺寸和高效率的泵 - 确保气体高速流通

• 快速近距离耦合质量流量计 - 快速控制（初始为ALD而开发）

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途