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参考报价: | 面议 | 型号: | SI-F80R |
品牌: | 基恩士 | 产地: | 日本 |
关注度: | 723 | 信息完整度: | |
样本: | 典型用户: | 暂无 |
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当被测物体发生位移时,两条光线经过的光程差也会发生变化,从而导致干涉条纹的移动。通过测量干涉条纹的移动量,就可以确定被测物体发生的位移量。分光干涉式位移计具有精度高、测量范围广等特点,广泛应用于机械加工、精密制造、光学检测等领域。
采用近红外 SLD,即使已贴附 BG 带也可测量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于图案而产生的显著差异,也可实现准确的生产线上测量。
产品特性
即使已贴附背面研磨带也可测量晶片厚度
大幅降低图案的影响
可在生产线上进行测量
自动映射整个晶片的厚度分布
SI-F80R 系列使用近红外 SLD,可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、非晶硅及其它半导体。即使晶片已封上 BG(背磨)胶带,也可精确测出晶片厚度。
基恩士 SI-F80R系列 分光干涉式晶片厚度计 可在生产线上进行测量信息由基恩士(中国)有限公司为您提供,如您想了解更多关于基恩士 SI-F80R系列 分光干涉式晶片厚度计 可在生产线上进行测量报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途