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NextCVD多功能宽密度等离子体CVD

参考报价: 面议 型号: NextCVD(ICP-LP-PE-CVD)
品牌: NextCVD 产地: 江苏
关注度: 14 信息完整度:
样本: 典型用户: 暂无
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AI问答
可以做哪些实验,检测什么? 可以用哪些耗材和试剂?

NextCVD系列多功能宽密度等离子体CVD

国内的电感耦合等离子体都是基于中频13.56MHz的电源发生器,等离子体密度较低,而且是螺旋管式,主要用于等离子体刻蚀,不适宜用于沉积高质量薄膜。巨纳集团NextCVD系列多功能宽密度等离子体CVD(ICP-LP-PE-CVD)结合了电感耦合和电容耦合辉光放电的优点,可在宽密度工艺范围(109-1013 cm-3)实现稳定的等离子体辅助CVD,具有优良的材料处理性能和广泛的应用范围,是目前全球功能最强大的等离子体CVD系统。


NextCVD 的原创性高密度低频平板式电感耦合等离子体系统在国内 。频率可调节,从低频0.5- 4MHz范围内调节;电感天线是平板式,可根据客户要求改变天线的形状、大小,从而实现两种不同的放电模式:电感放电和电容放电,两种模式下都能实现稳定放电,两种模式的等离子体特性截然不同,可以实现不同的功能。


产品特点
基片台可电动旋转、可加热、可升降
配装手动高真空插板阀、手动角阀、电脑复合真空计
由于采用了超高真空密封技术,极限真空度高,沉积室可进入10-5Pa量级,可保证更高的镀膜纯净度,提高镀膜质量
自动监控和保护功能,包括缺水欠压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护等
配备可开关观察窗,方便观察及取样品
设备真空系统采用分子泵+机械泵真空机组
采用磁力耦合传动密封技术密封运动部件
真空规用金属规,刀口金属密封


性能技术参数
设备极限真空度:5.0×10-5Pa(等离子体沉积腔室)。5.0×10-1Pa进样室
高密度等离子体:电子密度最高能达到1013 cm-3
气体先驱物离化率:1-10%
电感耦合离子体电源发生器频率从0.5-4 MHz可调,功率可从0-5000 W调节
电感天线有椭圆和圆形两种,相应等离子源石英窗口形状也有椭圆和圆形两种,相应等离子体放电模式也有电感和电容模式两种,可根据用途选择。等离子体源石英窗口大小可根据要求进行调节
供电:~380V三相供电系统(容量7KW),冷却水循环量1M3/H,工作环境温度10℃~35℃,冷却水温度18℃~25℃
设备占用面积12M2(设备安装面积4M×3M)
进样室上方窗口(玻璃橡胶圈密封):¢20cm
沉积室抽气口在底部,样品架的两边抽气,有利于薄膜的均匀沉积
设备总体漏放率:关机12小时后,真空度≤10Pa
从大气到抽到≤7×10-4Pa,小于45min(新设备充干燥氮气),提高了工作效率
样品台可旋转,速度:0~25转/分 可控可调。(样品台尺寸¢200mm)
基片尺寸¢6英寸(根据用户需要可变)
样品台加热器温度:室温~500±1℃。温度可控可调
基片最大升降距离0~100mm可调

配备2支¢3英寸磁控靶,其中一支可镀铁磁材料,磁控靶可伸缩
磁控溅射靶电源:射频源 500W、13.56MHz;直流溅射电源
,500W
缺水欠压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护、真空系统检测与保护



应用领域:
光伏行业(氮化硅/非晶硅/微晶硅/等离子体织构与刻蚀)
新型二维材料(石墨烯/二硫化钼等的表面改性及制备)
半导体工艺(刻蚀工艺/氮化硅与二氧化硅工艺等)
纳米材料的生长与纳米形貌的刻蚀构造


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注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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