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参考报价: | 面议 | 型号: | MgO LN Wafers |
品牌: | 昊量光电 | 产地: | 美国 |
关注度: | 447 | 信息完整度: | |
样本: | 典型用户: | 暂无 |
诚信认证:
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美国Crystal Technology公司提供掺MgO铌酸锂晶片(MgO:LN)。 由于没有光折变损伤,具有高纯度与高损伤阈值的掺氧化镁铌酸锂晶体能够承受的光强比一般的非掺杂纯铌酸锂晶体高几百倍。由于MgO的浓度对晶体的性能有很大的影响。因此,需要对MgO浓度进行严格的控制。
art # | A | B | Thickness | Ø | -z/+z | MgO mol% |
97-03044-01 | 20.3 | 14.0 | 0.5 | 76.2 | Polished/polished | 5.0 |
99-00629-02 | 20.3 | 14.0 | 1.0 | 76.2 | Polished/polished | 5.0 |
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注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途