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SiC半导体中膜厚测量解决方案
SiC半导体中
膜厚测量解决方案
优尼康科技有限公司
目录
01 | SiC半导体材料概述 |
02 | SiC材料的优点 |
03 | SiC器件种类 |
04 | SiC半导体应用 |
05 | SiC半导体厂商 |
06 | SiC半导体测量需求 |
01
随着代和第二代半导体材料发展的成熟，目前在大规模使用的Si功率器件已经达到其性能极限，Si功率器件的工作频率、功率、耐热温度、能效、耐恶劣环境及小型化等性能的提高面临难以逾越的瓶颈。
现代科技越来越多的领域需要高频率、高功率、耐高温、化学稳定性好的第三代半导体，而作为第三代半导体优秀代表的SiC（Silcon carbide），越来越多的受到人们的关注。
作为一种新型的半导体材料，SiC以其优良的物理化学特性和电特性成为制造短波长光电子器件、高温器件、抗辐照器件和大功率／高额电子器件重要的半导体材料。特别是在极端条件和恶劣条件下应用时，SiC器件的特性远远超过了Si器件和GaAs器件。因此，SiC器件和各类传感器已逐步成为关键器件之一，发挥着越来超重要的作用。
从20世纪80年代起，特别是1989年种SiC衬底圆片进入市场以来，SiC器件和电路获得了快速的发展。在某些领域，如发光二极管、高频大功率和高电压器件等，SiC器件已经得到较广泛的商业应用。
02
Sic碳化硅材料一般有以下几个优点：
1. | 高击场强 |
2. | 导热系数高 |
3. | 高温抗氧化能力强 |
4. | 耐磨性能好 |
5. | 化学性能稳定 |
6. | 高饱和以及电子漂移速率 |
SiC与Si和GaAs的有关参数的对比
03
碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。
功率二极管 |
功率开关管 |
04
碳化硅半导体器件，其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用。可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。
05
国外厂商 | 国内厂商 |
德国英飞凌 | 株洲中车时代半导体 |
美国Cree公司 | 启迪新材料（芜湖） |
GE | 无锡华润上华科技 |
日本罗姆公司 | ... |
06
SiC半导体工艺量测中，常见的膜厚测试种类： | |
Α-Si (1000-20000A) | |
SiNx (100-4000A) | |
SiO2 (30-10000A) | |
USG (1000-20000A) | |
C膜 (100-2000A) | |
BPSG (1000-20000A) | |
POLY (1000A-20000A) |
匹配产品型号
F50-UV
F54-UV
测量参数
测量数据
C on SiC
POLY on SiC
SiO2 on SiC
SiNx on SiC
USG on SiC
BPSG on SiC
本文作者
胡树栋 华东区销售经理 薄膜测量行业从业十多年，对于薄膜量测的方案解决有着丰富的经验。让微流控芯片行业中需要量测流道形貌及深度这类原本比较棘手的问题得到了的解决。 | |
长风破浪会有时，直挂云帆济沧海 | |
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| 标签： | 碳化硅,膜厚测量 |
