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SI APD雪崩光电探测器

参考报价: 面议 型号: AD100-8 TO
品牌: 筱晓光子 产地: 加拿大
关注度: 20 信息完整度:
样本: 典型用户: 暂无
产地类别进口供应商性质生产商
价格范围1千-3千组件类别光学元件
组件类别 光学元件
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SI APD雪崩光电探测器

AD100-8 TO

圆形有源区APD芯片直径为100μm。 该装置为透明玻璃窗的密封TO52包装。其中根据定制要求,两种TO52类型可供选择。

产品特征:

APD具有0.008mm2的有效面积

100μm直径有效面积

低偏置电压时的高增益

快速上升时间,低电容

最佳增益:50-60

 

产品应用:

激光测距仪

高速光度测定

高速光通信

用器材

 

绝对最大额定值

符号

参数

最小值

最大值

单位

TSTG

Storage temp

-55

125

TOP

Operating temp

-40

100

Mmax

Gain (IPO=1 nA)

-200



IPEAK

Peak DC current


0.25

mA


光电参数@23℃:

符号

特性

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位


有效区域


直径 100

um




有效区域


0.00785

mm2



ID

暗电流

M=100


0.05

0.1

nA

C

电容

M=100


0.5


pF


响应

M=100;λ=800nm

45

50


A/W

tR

上升时间

M=100;λ=905nm;RL=50?



0.18

ns


截止频率

-3dB

2



GHz

VBR

击穿电压

IR=2uA

80


160

v


温度系数

VBR随时间变化

0.35

0.45

0.55

V/K


过大噪声因素

M=100


2.2




过大噪声指数

M=100


0.2



光谱响应图(M=100):

量子效应(23℃)                          电容为反偏压(23°C)

乘积作为偏压(23°C,60℃)                暗电流为偏压(23℃,60℃)

应用提示:

?电流应受到电源内部的保护电阻或电流限制 - IC限制

?对于低光照应用,应使用环境光的遮挡

?对于高增益应用,偏置电压应进行温度补偿

?处理时请考虑基本的ESD保护

?使用低噪声读出 - IC

?有关更多问题,请参阅文档“处理和处理说明”

?最佳增益:50-60


封装图:

包装尺寸:

少量:泡沫垫,盒装(12厘米x 16.5厘米)


SI APD雪崩光电探测器信息由筱晓(上海)光子技术有限公司为您提供,如您想了解更多关于SI APD雪崩光电探测器报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。

注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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