正电子湮没寿命谱仪：又名高分子材料分析仪

1930年Dirac从理论上预言了正电子的存在和1932年Anderson在观察宇宙线中发现了正电子之后，揭开了研究物质和反物质相互作用的序幕。1951年Deutsch发现了正电子和电子构成的束缚态—正电子素的存在更加深了对正电子物理的研究工作，同时，也开展了许多应用研究工作，形成了一门独立的课题正电子湮没谱学。
随着对正电子和正电子素及其与物质相互作用特性的深入了解，使正电子湮没技术在原子物理、分子物理、固态物理、表面物理、化学及生物学、医学等领域得到广泛应用，并取得独特的研究成果。它在诸如检验量子电动力学基本理论、研究弱相互作用、基本对称性及天体物理等基础科学中也发挥了重要作用。同时，随着人们对正电子湮没技术方法学上研究的深入进展，使这一门引人注目的新兴课题得到更快的发展。
实验用放射源²²Na，其衰变纲图如右图所示。该源发生 衰变放出一个正电子后几乎同时（仅迟3 ps左右）还发射一个能量为1.28 MeV的 光子。因此，测量1.28 MeV的 光子与正电子湮没后放出的 光子（0.511 MeV）之间的时间间隔，就可得到正电子寿命。对每个湮没事件都可测得湮没过程所需时间。对足够多的湮没事件（~10⁶个）进行统计，就可得到一个正电子湮没寿命谱。


系统集成测试报告参数：
系统时间分辨率（用50μCi ⁶⁰Co源测量）：
保证值：≤ 200ps；
典型值：≤ 180ps

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