11N,12N\13N高纯锗晶体，HPGe

HPGe高纯锗晶体

High Purity Germanium Single Crystal – P Type

9N,10N,11N,12N,13N

   1、晶体习性与几何描述：

    该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为：

   D ----外形尺寸当量直径

   W----锗晶体重量

   L-----晶体长度

   测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。

       2、纯度：残留载荷

     最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。

         同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式：

          N_max = 每立方厘米最大杂质含量

         VD = 耗尽层电压 = 5000 V

               εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm

               εr = 相对介电常数(Ge) = 16

          q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge)

          r1 = 探测器内孔半径

            r2 = 探测器外孔半径

       3、纯度 ：              

          假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为：            

         D = 晶体外表面            

          平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式：

           d=探测器外观尺寸厚度

           径向分散载荷子（绝对值）

           迁移：霍尔迁移

       性能： P 型晶体 μ_H ≥ 10000 cm²/V.s 

          N 型晶体 μ_H ≥ 10000 cm²/V.s

       能级： P 型晶体  通过深能瞬态测量，Cu_tot ≤ 4.5*10⁹ cm^-3

       N 型晶体  通过深能瞬态测量点缺陷 < < 5*10⁸ cm^-3

            晶体主要指标：                                P 型晶体               N 型晶体     

                                           错位密度             ≤ 10000               ≤ 5000        

                                           星型结构             ≤ 3                       ≤ 3              

                                           镶嵌结构              ≤ 5                       ≤ 5              

       4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明：  

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途