SWC-3000兆声晶圆（掩模版）清洗机：Nano-Master兆声单晶圆及掩模版清洗机提供高可重复性、高均匀性及兆声清洗。它可以在一个工艺步骤中包含了的无损兆声清洗、化学试剂清洗、刷子清洗以及干燥功能。

NDR-4000（M）DRIE深反应离子刻蚀：是带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下，系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。

NRE-4000（ICPA）全自动ICP刻蚀系统：自动上下载片，带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。

NIE-3000IBE离子束刻蚀：是一款手动放片/取片，但工艺过程为全自动计算机控制的台式离子束刻蚀系统，可以用于表面清洗、表面处理、离子铣等。

Optical Coating System/光学涂覆系统NANO-MASTER(那诺-马斯特)NOC-4000光学涂覆系统提供最先进的技术，系统的设计也可以支持其中任一个腔体的单独使用，同时具备各自的自动上/下载片功能。在一个腔体中实现原子级清...

NMC-3000等离子辅助MOCVD系统：针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属有机化学气相沉积系统（PA-MOCVD）,该系统具有5个鼓泡装置（各带独立的冷却槽）、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵（5 x 10-7Torr极限真空）、PC全自动控制。

NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀：是一款自动放片/取片，并且工艺过程为全自动计算机控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。

NIE-3000离子束清洗系统：是一款手动放片/取片，但工艺过程为全自动计算机控制的台式离子束刻蚀系统，可以用于表面清洗、表面处理、离子铣等。

NLD-4000（ICPM）PEALD系统：ALD原子层沉积可以满足准确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

NPC-3000等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子去胶和等离子清洗机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。

NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统: NM的PECVD能够沉积高质量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可达12" 的基片.淋浴头电极或中空阴极射频等离子源，样品台通过RF或脉冲DC产生偏压。可支持加热和冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，真空可低至10-7 torr。标准配置含1路惰性气体、3路活性气体和4个MFC。

NRE-4000（M）反应离子刻蚀：独立式RIE系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子以及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空

NEE-4000（A）全自动电子束蒸发系统：NEE-4000电子束蒸发系统为双腔配置，样品台位于主腔体，二级腔体则用于安置电子束源。两腔体之间的门阀作为预真空锁，使得电子束源腔体保持真空的情况下，通过主腔放入基片到样平台（或夹具）上或从中取出。自动装/卸载基片可通过第三方的预真空锁实现。通过PC计算机控制，系统可以提供多电子束源的共蒸发能力，以及对组分或组分梯度进行编程的能力。

NIE-3500（M）离子束清洗系统：是一款手动放片/取片，但工艺过程为全自动计算机控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。

SWC-4000兆声辅助光刻胶剥离系统：Nano-Master兆声单晶圆及掩模版清洗机提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗，以及兆声辅助下光刻胶剥离。它可以在一个工艺步骤中包含了的无损兆声清洗、化学试剂清洗、刷子清洗以及干燥功能。

NDT-4000热真空系统：NDT-4000是NANO-MASTER器件测试系统，用于极真空及可控均匀的加热和冷却循环套件下测试器件或样品。该系统具有计算机控制、安全连锁，以及多级密码授权访问保护的功能。它可以用于超过24小时的圈子全自动热、冷循环情况下测试器件/样品，温度条件通过程序定义。该系统Z通常的应用之一是太空模拟。

NEE-4000（M）电子束蒸发系统：NEE-4000电子束蒸发系统为双腔体的配置，样品台位于主腔体，二级腔体则用于安置电子束源。两个腔体之间的门阀可以作为预真空锁，使得电子束源腔体保持真空的情况下，实现基片通过主腔体放入基片到样平台（或夹具）上或从中取出。自动装/卸载基片可通过第三方的预真空锁实现。通过PC计算机控制，系统可以提供多电子束源的共蒸发能力，以及对组分或组分梯度进行编程的能力。

NSC-4000（M）磁控溅射系统：带有水冷或者加热（可加热到700度）功能，可达到到8“旋转平台，支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。

NRE-4000（ICPM）ICP刻蚀机：是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。

NLD-3500（A）全自动原子层沉积设备：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

NPC-4000（A）全自动等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子刻蚀和等离子灰化机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。

SWC-3000兆声辅助光刻胶剥离系统：Nano-Master兆声单晶圆及掩模版清洗机提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗，以及兆声辅助的光刻胶剥离。它可以在一个工艺步骤中包含了的无损兆声清洗、化学试剂清洗、刷子清洗以及干燥功能。

SWC-4000兆声辅助光刻胶剥离系统：Nano-Master兆声单晶圆及掩模版清洗机提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗，以及兆声辅助下光刻胶剥离。它可以在一个工艺步骤中包含了的无损兆声清洗、化学试剂清洗、刷子清洗以及干燥功能。

NPC-3500（M）等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子去胶和等离子清洗机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。