NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀：是一款自动放片/取片，并且工艺过程为全自动计算机控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。

NIE-3500（M）离子束清洗系统：是一款手动放片/取片，但工艺过程为全自动计算机控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。

NIE-4000（R）RIBE反应离子束刻蚀：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。

NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。

NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。

NPC-3000等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子去胶和等离子清洗机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。

NPC-3500（A）全自动等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子刻蚀和等离子灰化机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。

NPC-3500（M）等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子去胶和等离子清洗机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。

NPC-4000（A）全自动等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子刻蚀和等离子灰化机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。

NPC-4000（M）等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子去胶和等离子灰化机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。

NRE-3000 反应离子刻蚀机：PC控制的RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大到12“的晶圆片。腔体为超净设计，真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。

NRE-3500（A）全自动反应离子刻蚀机：自动上下栽片，PC控制的RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜，13“顶盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.2“观察.该系统可以支持Z大到12“的晶圆片。腔体为超净设计，真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。

NRE-3500（M）反应离子刻蚀机：PC控制的反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持至大到12“的晶圆片。腔体为超净设计，真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。

NRE-3500（M）反应离子刻蚀机：PC控制的反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持至大到12“的晶圆片。腔体为超净设计，真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。

NRE-4000（A）全自动反应离子刻蚀：独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子以及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。

NLD-3000原子层沉积系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

NLD-3500（M）原子层沉积系统：ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积，这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响，所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性，可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。

NTE-3500（M）热蒸发系统：NTE-3500是PC控制的紧凑型立式热蒸发系统，在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。设备具有占地面积小、干净、均匀、可控及可重复的工艺特点。具有低价格, 高性能以及高能力的特点，可满足于客户研发及小规模生产的应用要求，该系统可以在设定的RMS电流下，或者在闭环的配置下操作，并且在这种情况下沉积速度的变化被用于调节RMS电流以维持恒定的沉积速度。

NTE-3000热蒸发系统：NTE-3000是PC控制的台式热蒸发系统，在有机物和金属沉积方面具有广泛的应用。设备具有占地面积小、干净、均匀、可控及可重复的工艺特点。具有低价格, 高性能以及高能力的特点，可满足于客户研发及小规模生产的应用要求，该系统可以在设定的RMS电流下，或者在闭环的配置下操作，并且在这种情况下沉积速度的变化被用于调节RMS电流以维持恒定的沉积速度。

NANO-MASTER（那诺-马斯特）Platens样品台，又称为基板或加热板，是真空镀膜设备中常用到关键部件。因此样品台可以整合到RIE刻蚀、ICP刻蚀、PECVD、ALD等刻蚀和沉积设备中，给晶圆等样片进行均匀加热和冷却处理，为微纳米薄膜工艺提供精确的温度环境。

Optical Coating System/光学涂覆系统NANO-MASTER(那诺-马斯特)NOC-4000光学涂覆系统提供最先进的技术，系统的设计也可以支持其中任一个腔体的单独使用，同时具备各自的自动上/下载片功能。在一个腔体中实现原子级清...

SWC-3000兆声辅助光刻胶剥离系统：Nano-Master兆声单晶圆及掩模版清洗机提供高可重复性、高均匀性及的兆声清洗，以及兆声辅助的光刻胶剥离。它可以在一个工艺步骤中包含了的无损兆声清洗、化学试剂清洗、刷子清洗以及干燥功能。

Kore SurfaceSeer S 是一种经济实惠的紧凑型的飞行时间二次离子质谱系统，用于快速表面化学表征。该仪器 是研究样品表面化学成分的理想仪器，在研发或工业质量控制应用中同样适用。

NPC-4000（M）等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子去胶和等离子灰化机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。