NIE-3500（A）全自动IBE离子束刻蚀：是一款自动放片/取片，并且工艺过程为全自动计算机控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。

NIE-3500（M）离子束清洗系统：是一款手动放片/取片，但工艺过程为全自动计算机控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统，可以用于表面清洗、表面处理、离子铣。

NIE-4000（R）RIBE反应离子束刻蚀：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。

NIE-4000（A）全自动IBE离子束刻蚀：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。

NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。

NPC-3000等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子去胶和等离子清洗机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。

NPC-3500（A）全自动等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子刻蚀和等离子灰化机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。

NPC-3500（M）等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子去胶和等离子清洗机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。

NPC-4000（A）全自动等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子刻蚀和等离子灰化机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。

NPC-4000（M）等离子去胶机（刻蚀机）：NANO-MASTER 等离子去胶和等离子灰化机是专门设计用来满足晶圆批处理或单晶片处理，具有广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。

NRE-3000 反应离子刻蚀机：PC控制的RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大到12“的晶圆片。腔体为超净设计，真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。

NRE-3500（A）全自动反应离子刻蚀机：自动上下栽片，PC控制的RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜，13“顶盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.2“观察.该系统可以支持Z大到12“的晶圆片。腔体为超净设计，真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。

NRE-3500（M）反应离子刻蚀机：PC控制的反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持至大到12“的晶圆片。腔体为超净设计，真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。

NRE-3500（M）反应离子刻蚀机：PC控制的反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持至大到12“的晶圆片。腔体为超净设计，真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。

NRE-4000（A）全自动反应离子刻蚀：独立式RIE反应离子刻蚀系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子以及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。

NDR-4000（M）DRIE深反应离子刻蚀：是带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下，系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。

NDR-4000（A）全自动DRIE深反应离子刻蚀：全自动上下载片，带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统，带8“ ICP源。系统配套500L/S抽速的涡轮分子泵，可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下，系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。

NRE-4000（ICPA）全自动ICP刻蚀系统：自动上下载片，带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。

NIE-3000IBE离子束刻蚀：是一款手动放片/取片，但工艺过程为全自动计算机控制的台式离子束刻蚀系统，可以用于表面清洗、表面处理、离子铣等。

NRE-4000（M）反应离子刻蚀：独立式RIE系统，淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品，不锈钢柜子以及13“的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2“的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持Z大到12"的晶圆片。腔体为超净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或更小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空

NRE-4000（ICPM）ICP刻蚀机：是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统，系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺，包括刻蚀III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属，以及硅和硅的化合物（如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe）等。