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参考报价: | 面议 | 型号: | DInGaAs |
品牌: | 卓立汉光 | 产地: | 北京 |
关注度: | 1170 | 信息完整度: | |
样本: | 典型用户: | 暂无 |
诚信认证:
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仪器简介:
■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs)
―――常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm
■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs)
――TE制冷型近红外探测器,波长范围:0.8-2.6μm
TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。
技术参数:
■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs)
―――常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm
三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计,其中:
◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图1)
◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图2)
◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图3)
详细资料:http://www.zolix.com.cn/templates/channel/index_141_363.html
主要特点:
■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs)
―――常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm
■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs)
――TE制冷型近红外探测器,波长范围:0.8-2.6μm
TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件,光谱响应曲线参考图如下:
铟镓砷探测器使用建议:
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85)做为前级放大并转换为电压信号;标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器;
● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制;
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注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途