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安捷伦科技（中国）有限公司
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| 产地类别：国产 | 供应商性质：生产商 | 色散单元：光栅和滤光片 |
| 原理：稳态和寿命 |
OmniFluo990-Xray是一款集成X射线激发闪烁体性能测量的综合系统，支持稳态/瞬态光谱、荧光寿命、成像及光产额测试。其技术特点包括覆盖皮秒至纳秒的脉冲X射线激发、TCSPC/条纹相机寿命检测、以及高分辨率CMOS/TFT面阵成像。核心卖点在于提供从激发源、探测到数据分析的全套方案，并符合GBZ115-2023辐射安全国标，专为钙钛矿等新型闪烁体材料研发设计。
卓立汉光能够提供基于X射线为激发源的光谱，寿命，成像，光产额的相关测量方案。能够提供全套涵盖X 射线激发源、光谱仪、稳态及瞬态数据处理、成像测量（CMOS 成像，单像素成像，TFT 面阵成像）、辐射剂量表、辐射安全防护等，辐射防护防护满足国标《低能射线装置放射防护标准》（GBZ115-2023）。
产品概述
近年来，钙钛矿型闪烁体及钙钛矿型X 射线直接探测器被广泛研究及报道。在发光闪烁体层面，钙钛矿纳米晶闪烁体通过溶液即可制得，成本极低，且具备全色彩可调谐辐射发光的特点。在直接探测层面，铅卤钙钛矿材料因其具备较大的原子序数、高吸收系数等优点，在X 射线直接探测领域同样表现出非常优异的性能。
卓立汉光能够提供基于X 射线的稳态发光光谱，荧光寿命，瞬态光谱以及X 射线探测成像的相关测量方案。能够提供全套涵盖X 射线激发源、光谱仪、稳态及瞬态数据处理、成像测量（CMOS 成像，单像素成像，TFT 面阵成像）、辐射剂量表、辐射安全防护等，辐射防护防护满足国标《低能射线装置放射防护标准》（GBZ115-2023）。
如下陈述我们几种测量方案及相关配置明细
( 一) 稳态光谱及荧光寿命采集
• 基于皮秒X 射线和TCSPC 测量原理的方法
• 纳秒脉冲X 射线
• 稳态和寿命测量数据
( 二)X 射线探测成像
• X 射线探测成像光路图
• X 射线探测成像及脉冲X 射线实现光电流衰减测量
• TFT 集成的面阵X 射线成像
• 成像测量结果
( 三) 技术参数
稳态光谱及荧光寿命采集
基于皮秒X 射线和TCSPC 测量原理的方法
包含：皮秒脉冲激光器、光激发X 射线管、TCSPC 或条纹相机。
由皮秒脉冲激光器激发“光激发X 射线管”发射出X-ray 作用于样品上，样品发射荧光，经光谱仪分光之后，由探测器探测光信号，数据采集器读取数据。
皮秒X 射线测量荧光寿命原理图
纳秒脉冲X 射线
150KV 纳秒脉冲X 射线
* 安全距离要求：a：3 米，b：6 米，c：30 米
稳态和寿命测量数据
NaI 样品在管电压50KeV，不同管电流激发下的辐射发光光谱
纳秒X 射线激发的荧光衰减曲线
X 射线探测成像
X 射线探测成像光路图
X 射线探测成像及脉冲X 射线实现光电流衰减测量
TFT 集成的面阵X 射线成像
TFT 传感芯片规格
TFT 读取系统规格
成像测量结果
CMOS 成像实物图
分辨率指标：TYP39 分辨率卡的X 射线图像。测试1mm 厚的YAG(Ce) 时，分辨率可以优于20lp/mm
手机充电头成像测试
密码狗成像测试
技术参数
| 稳态X 射线激发发光测量 | 光源 | 能量：4-50KV，功率：0-50W 连续可调，靶材：钨靶，铍窗厚度 200μm样品位置辐射剂量：0-25Sv/h | ||
| 光路 | 透射和反射双光路，可切换 | |||
| 光谱范围 | 200-900nm（可扩展近红外） | |||
| 监视器 | 内置监视器方便观察样品发光，可拍照 | |||
| 快门 | 可控屏蔽快门，辐射光源最大功率下，关闭快门，样品位置辐射剂量小于10uSv/h | |||
| 辐射防护 | 满足国标《X 射线衍射仪和荧光分析仪卫视防护标准》（GBZ115-2023） | |||
| 样品支架 | 配备粉末、液体、薄膜样品架 | |||
| 成像测量模块 | 成像面积：直径20mm（可定制更大面积：120mm×80mm）成像耦合光路附件，样品测试夹具相机参数：颜色：黑白，分辨率：20MP, 5472 (H) x 3648 (V)，像元尺寸：2.4μm×2.4μm，量子效率：84%@495nm，暗电流：0.001e-/pixel/s，制冷温度：-15℃，成像分辨率：优于20lp/mm | |||
| 瞬态X 射线激发发光测量 | 光源 | 皮秒脉冲X 射线源 | 纳秒脉冲X 射线源* | |
| 405nm ps 激光二极管：波长：100Hz-100MHz 可调，峰值功率：400mW@ 典型值，脉冲宽度：<100ps光激发X 射线光管：辐射灵敏度：QE10%（@400nm），靶材：钨，操作电压：40KV，操作电流：10μA@ 平均值，50μA@ 最大值 | 电压：150KV脉冲宽度：50ns重复频率：10Hz平均输出剂量率：2.4mR/pulse | |||
| 数据采集器 | TCSPC 计数器 | 条纹相机（同时获得光谱和寿命） | 示波器 | |
| 瞬时饱和计数率：100Mcps时间分辨率(ps)：16/32/64/128/256/512/1024/…/33554432通道数：65535死时间：＜ 10ns支持稳态光谱采集数据接口：USB3.0最大量程：1.08μs @16ps，67.1μs@1024ps，2.19s@33554432ps | 光谱测量范围：200-900nm时间分辨率：<=5ps,( 最小档位时间范围+ 光谱仪光路系统)探测器：同步扫描型通用条纹相机ST10测量时间窗口范围：500ps-100us( 十档可选)工作模式：静态模式，高频同步模式以及低频触发模式；系统光谱分辨率：<0.2nm@1200g/mm单次成谱范围：>=100nm@150g/mm静态（稳态）光谱采集，瞬态条纹光谱成像及荧光寿命曲线采集 | 模拟带宽：500 MHz通道数：4+ EXT实时采样率：5GSa/s( 交织模式），2.5GSa/s( 非交织模式)存储深度：250Mpts/ch( 交织模式)，125 Mpts/ch( 非交织模式) | ||
| 寿命尺度 | 500ps-10μs | 100ps-100μs | 100ns-50ms | |
| X 射线探测成像 | 方式 | CMOS 成像 | 单像素探测器 | TFT 集成的面阵探测器 |
| 配置 | 成像耦合光路附件，样品测试夹具相机参数：颜色：黑白分辨率：20MP, 5472 (H) x 3648 (V)像元尺寸：2.4μm×2.4μm量子效率：84%@495nm暗电流：0.001e-/pixel/s制冷温度：-15℃ | XY 二维电动位移台：XY5050：行程：X 轴50mm，Y 轴50mm，重复定位精度1.5μm，水平负载4Kg；XY120120：行程：X 轴120mm，Y 轴120mm，重复定位精度3μm，水平负载20Kg | TFT 阵列传感芯片（可提供直接型和间接型芯片）：背板尺寸（H×V×T）：44.64×46.64×0.5 mm，有源区尺寸（H×V）：32×32mm，分辨率（H×V）：64×64，像素大小：500×500μmTFT 读出系统：成像规格：解析度：64 行×64 列，数据灰阶：支持256 灰阶显示，数据通信方式：WIFI 无线通讯，数据显示载体：手机/ 平板（Android 9.0以上操作系统、6GB 以上运行内存） | |
| 辐射剂量 | 测定辐射计量表 | 探测器：塑料闪烁体, Ø30x15 mm连续长期辐射：50 nSv/h ... 10 Sv/h连续短期辐射：5 μSv/h ... 10 Sv/h环境剂量当量测量范围：10 nSv ... 10 Sv连续的短时辐射响应时间：0.03 s相对固有误差：连续和短期辐射：±15% 最大137 Cs 灵敏度：70 cps/(μSv·h-1 )剂量率变化0.1 to 1 μSv/h 的反应时间 ( 精度误差 ≤ ±10%) < 2 s全 | ||
光产额测量方案
闪烁晶体的光产额（也称为光输出或光子产额）是指晶体在受到电离辐射（如γ 射线、X 射线或粒子）激发后，发射光子（通常是可见光）的数量。光产额通常以每单位能量沉积产生的光子数来表示，单位可以是光子/MeV。
光产额是衡量闪烁晶体性能的重要参数之一，它是衡量闪烁体材料性能的重要指标之一，也直接关系到该材料在实际应用中的灵敏度和效率。常见的闪烁晶体包括碘化钠（NaI），碘化铯（CsI），和氧化镧掺铈（LaBr3）等。不同的晶体材料会有不同的光产额，这取决于其发光机制、能带结构、以及材料的纯度和缺陷等因素。研究闪烁体材料的光产额对于提高其性能、拓展其应用具有重要的意义。
一些常见闪烁晶体的光产额值如下：
碘化钠（NaI(Tl)）：约38,000 photons/MeV
氯化铯（CsI(Tl)）：约54,000 photons/MeV
氧化铈掺杂的氧化镧（LaBr3）：约63,000 photons/MeV
钇铝石榴石掺杂铈离子（YAG:Ce）：约14,000 photons/MeV
光产额越高，意味着该晶体能够在相同的能量沉积条件下产生更多的光子，从而在探测器中生成更强的信号，通常也会导致更好的能量分辨率。
卓立汉光提供一整套包含同位素源、屏蔽铅箱（被测器件及光路）、光电倍增管、高压电源、闪烁体前置放大器、谱放大器、多道分析仪及测试软件，实现闪烁体的光产额测量。
| 同位素源 | Na-22（或 Cs-137 可选），屏蔽铅箱（被测器件及光路），充分保证测试人员安全 |
光电倍增管 | 光谱范围：160-650nm，有效面积：46mm 直径，上升时间：≤ 0.8ns |
高压稳压电源 | 提供：0-3000V |
闪烁体前置放大器 : | 上升时间＜ 60ns积分非线性≤ ±0.02%计数率：250 mV 参考脉冲的增益偏移 <0.25%，同时应用 65,000/ 秒的 200 mV 随机脉冲的额外计 数速率，前置放大器下降时间：信号源阻抗为 1 MΩ，则下降时间常数为 50 μs |
谱放大器 | 高性能能谱，适合所有类型的辐射探测器（Ge、Si、闪烁体等） 积分非线性（单极输出）: 从 0 到 +10V<0.025%噪声：增益 >100 时，等效输入噪声 <5.0uV rms；手动模式下，增益＞ 1000 时，等效输入噪声<4.5uV rms；或者自动模式下，增益 >100 时，等效输入噪声 <6.0uV rms温度系数（0 到 50° C）单极输出：增益为 <+0.005%/'C，双极输出：增益为 <+0.07%/'C，直流电 平为 <+30μV/° C误差：双极零交叉误差在 50:1 动态范围内 <±3 ns增益范围：2.5-1500 连接可调，增益是 COARSE（粗调）和 FINE GAIN（微调增益）的乘积。单极脉冲形状：可用开关为 UNIPOLAR（单极）输出端选择近似三角形脉冲形状或近似高斯脉冲形状。配置专用 3kv 高压电源 |
2K 通道多道分析仪 | ADC: 包括滑动标度线性化和小于 2us 的死区时间，包括存储器传输 积分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内≤士 0.025%。 差分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内小于士 1%。 增益不稳定性 :< 士 50 ppm/° C死区时间校正 : 根据 Gedcke-Hale 方法进行的延长的实时校正。 USB 接口 :USB 2.0 到 PC 的数据传输速度最高可达 480Mbps |
操作电脑 | / |
光学平台 | 尺寸：1500*1200*800mm台面 430 材质，厚度 200mm，带脚轮。固有频率：7-18Hz，整体焊接式支架 |
OmniFluo990-Xray闪烁体的光谱、 寿命、成像、光产额测量由北京卓立汉光仪器有限公司 为您提供，如您想了解更多关于OmniFluo990-Xray闪烁体的光谱、 寿命、成像、光产额测量报价、参数等信息 ，欢迎来电或留言咨询。
注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途。
