牛津ICP等离子沉积机PlasmaPro 80 ICPCVD

PlasmaPro 80是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是科学研究、原型设计和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺。

。直开式设计允许快速装卸晶圆
。出色的刻蚀控制和速率测定
。出色的晶圆温度均匀性
。晶圆最大可达200mm
。购置成本低
。符合半导体行业 S2 / S8标准

应用:

· III-V族刻蚀工艺

· 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺

· 类金刚石

· 类金刚石（DLC）沉积

· 二氧化硅和石英刻蚀

· 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖逆工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆

· 高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途

· 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

系统特点:

· 小型系统——易于安置

· 优化了的电极冷却——衬底温度控制

· 高导通的径向（轴对称）抽气结构—— 确保提升了工艺均匀性和速率

·  增加<500毫秒的数据记录功能——可追溯腔室和工艺条件的历史记录

·  近距离耦合涡轮泵——提供优越的泵送速度加快气体的流动速度

·  关键部件容易触及——系统维护变得直接简单

· X20控制系统——大幅提高了数据信息恢复功能， 同时可以实现更快更可重复的匹配

·  通过前端软件进行设备故障诊断——故障诊断速度快

· 用干涉法进行激光终点监测——在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界

· 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测—— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途