德国Sentech等离子沉积机 SI 500 D

德国 Sentech等离子沉积机 SI 500 D ：

超高密度等离子体

SI 500d具有特殊的等离子体特性，如高密度、低离子能量和介质膜的低压沉积。

平面等离子体源

森泰克专利的平面三螺旋天线(PTSA)等离子体源允许高效率低功率耦合。

杰出的沉积特性

低腐蚀速率、高击穿电压、低应力、基体无损伤、界面状态密度极低，沉积温度小于100℃，使沉积薄膜具有优异的性能。
 

动态温度控制

采用动态温度控制的基片电极，结合He背面冷却和基片背面温度传感，在室温至+350℃的大范围温度范围内，提供优良的稳定工艺条件。

SI 500d代表了等离子体增强化学气相沉积介电薄膜、a-Si、SiC和其他材料的前沿。它基于PTSA等离子体源，反应气体分离气体入口，动态控温基片电极，全控真空系统，采用远程现场总线技术的先进森泰克控制软件，以及一个非常友好的通用用户界面来操作SI 500d。

从直径200毫米的晶圆片到负载在载体上的各种基板，都可以在SI 500 d中进行加工。

SI 500d等离子体增强沉积工具可在室温至350℃范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a- SI薄膜。溶液可用来沉积TEOS、SiC和其他具有液体或气体前驱体的材料。s500d特别适用于有机材料在低温下沉积高效的保护屏障，以及在规定温度下无损伤沉积钝化膜。

森泰科提供不同的自动化水平，从真空盒式磁带加载到一个过程室，多达六个端口集群，具有不同的沉积和蚀刻模块，目标是高灵活性或高吞吐量。SI 500d也可以作为集群配置上的进程模块。
 

SI 500 D

ICPECVD等离子体沉积工具

与真空loadlock

高达200毫米晶圆

衬底温度从RT到350℃

激光端点检测

可选的衬底偏置

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途