400-6699-117转1000
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| 参考报价： | 面议 | 型号： | NX2000 |
| 品牌： | 日立 | 产地： | 日本 |
| 关注度： | 206 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 |
| 背散射电子图像分辨率 | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
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追求最完美的TEM样品制备工具
在尖端设备及高性能纳米材料的评价和分析领域，FIB-SEM已成为不可或缺的工具。
近来，目标观察物更趋微细化；更薄，更低损伤样品的制备需求更进一步凸显。
日立高新公司，整合了高性能FIB技术和高分辨SEM技术，再加上加工方向控制技术以及Triple Beam®＊1（选配）技术，推出了新一代产品NX2000
特点
运用高对比度，实时SEM观察和加工终点检测功能，可制备厚度小于20 nm的超薄样品
FIB加工时的实时SEM观察＊2例
样品：NAND闪存
加速电压：1 kV
FOV：0.6 µm
加工方向控制技术（Micro-sampling®＊3系统（选配）+高精度/高速样品台＊）对于抑制窗帘效应的产生，以及制作厚度均一的薄膜类样品给予厚望。
加工方向控制
常规加工时
Triple Beam®＊1（选配）可提高加工效率，并能使消除FIB损伤自动化
EB：Electron Beam（电子束）
FIB：Focused Ion Beam（聚焦离子束）
Ar：Ar ion beam（Ar离子束）
选配件
Ar/Xe离子束系统
Micro-sampling®＊3系统
缺陷检测设备联用软件
CAD联用导航软件
EDS（能谱仪）
TEM样品精加工向导
TEM样品厚度管理软件
连续A-TEM
实时画质优化系统
Swing加工功能（用于Triple Beam®＊1）
等离子清洗机
真空转移机构
冷台
规格
| 项目 | 内容 |
| FIB镜筒 | |
| 分辨率 | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
| 加速电压 | 0.5～30 kV |
| 束流 | 0.05 pA ～ 100 nA |
| FE-SEM镜筒 | |
| 分辨率 | 2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV |
| 加速电压 | 0.5～30 kV |
| 电子枪 | 冷场场发射型 |
| 探测器 | |
| 標準検出器 | In-lens 二次电子探测器/样品室二次电子探测器/背散射电子探测器 |
| 样品台 | X：0 ～ 205 mm |
| Y：0 ～ 205 mm | |
| Z：0 ～ 10 mm | |
| R：0 ～ 360°连续 | |
| T：-5 ～ 60° | |
日立双束（三束）聚焦离子束系统NX2000信息由日立高新技术公司为您提供，如您想了解更多关于日立双束（三束）聚焦离子束系统NX2000报价、型号、参数等信息，欢迎来电或留言咨询。
注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
