产地类别:进口 | 供应商性质:生产商 | 价格范围:500万-1000万 |
仪器种类:飞行时间 |
使用一次离子束(通常是Cs源)轰击样品表面产生二次离子,用质谱分析仪分析二次离子的质荷比(m/q),得知元素在样品中的深度分布
PHI ADEPT 1010
简介
动态二次离子质谱仪(D-SIMS)是使用一次离子束(通常是Cs源)轰击样品表面,而产生二次离子,然后用质谱分析仪分析二次离子的质荷比(m/q),从而得知元素在样品中的深度分布,是分析半导体掺杂和离子注入的强有力的工具。
优势
ULVAC-PHI 最新设计的四极杆-二次离子质谱仪ADPT1010,在原有的PHI6300和PHI6600的基础上,改善了离子光学系统,是在一次离子能量低至250eV时,仍保持有效的溅射束流的动态二次离子质谱系统(D-SIMS)。
特点
大束流低能量离子枪设计,极大的提高了深度分辨率
高性能离子光学系统,改善了二次离子传输效率,在提高分析效率的同时又提高了检测灵敏度
高精度全自动5轴样品操控台
不同方向进入检测器的二次离子,均可被高灵敏地收集检测
应用实例分析
采用一次离子源Cs在加速5kV束流为100nA的条件下,分析GaAs中注入的H,C,O元素。可以看到H检测限值7.1X1016 atm/cm3,O检测限值4.4X1015 atm/cm3,C检测限值2.0X1015 atm/cm3。
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注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途。