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当前位置: 高德英特 二次离子质谱 PHI ADEPT 1010 动态二次离子质谱仪(D-SIMS)
PHI ADEPT 1010 动态二次离子质谱仪(D-SIMS)
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PHI ADEPT 1010 动态二次离子质谱仪(D-SIMS)

参考报价:¥500万-1000万 品牌:ULVAC-PHI 产地:日本 型号:PHI ADEPT 1010 样本:来电或留言获取样本
AI问答
  • 可以做哪些实验,检测什么? 可以用哪些耗材和试剂?
  • 多少钱一台? 参数细节是什么?
  • 使用的注意事项? 操作规程?
参数规格
产地类别:进口 供应商性质:生产商 价格范围:500万-1000万
仪器种类:飞行时间
产品卖点

使用一次离子束(通常是Cs源)轰击样品表面产生二次离子,用质谱分析仪分析二次离子的质荷比(m/q),得知元素在样品中的深度分布

产品介绍

PHI ADEPT 1010

 

简介

动态二次离子质谱仪(D-SIMS)是使用一次离子束(通常是Cs源)轰击样品表面,而产生二次离子,然后用质谱分析仪分析二次离子的质荷比(m/q),从而得知元素在样品中的深度分布,是分析半导体掺杂和离子注入的强有力的工具。

 

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优势

ULVAC-PHI 最新设计的四极杆-二次离子质谱仪ADPT1010,在原有的PHI6300和PHI6600的基础上,改善了离子光学系统,是在一次离子能量低至250eV时,仍保持有效的溅射束流的动态二次离子质谱系统(D-SIMS)。


特点

大束流低能量离子枪设计,极大的提高了深度分辨率

高性能离子光学系统,改善了二次离子传输效率,在提高分析效率的同时又提高了检测灵敏度

高精度全自动5轴样品操控台

不同方向进入检测器的二次离子,均可被高灵敏地收集检测 

应用实例分析

采用一次离子源Cs在加速5kV束流为100nA的条件下,分析GaAs中注入的H,C,O元素。可以看到H检测限值7.1X1016 atm/cm3O检测限值4.4X1015 atm/cm3,C检测限值2.0X1015 atm/cm3

 


PHI ADEPT 1010 动态二次离子质谱仪(D-SIMS)由高德科创有限公司 为您提供,如您想了解更多关于PHI ADEPT 1010 动态二次离子质谱仪(D-SIMS) 报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。

注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途。

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