仪器描述

特点： 

· 易于安装

· 基于视窗结构的软件，很容易操作

· 先进的光学设计，以确保能发挥出zei佳的系统性能

· 能够自动的以0.01度的分辨率改变入射角度

· 高功率的DUV－VIS光源，能够应用在很宽的波段内

· 基于阵列设计的探测器系统，以确保快速测量

· zei多可测量12层薄膜的厚度及折射率

· 能够用于实时或在线的监控光谱、厚度及折射率等参数

· 系统配备大量的光学常数数据及数据库

· 对于每个被测薄膜样品，用户可以利用先进的TFProbe3.0软件功能选择使用NK数据库、也可以进行色散或者复合模型（EMA）测量分析；

· 三种不同水平的用户控制模式：专家模式、系统服务模式及初级用户模式

· 灵活的专家模式可用于各种独特的设置和光学模型测试

· 健全的一键按钮(Turn－key)对于快速和日常的测量提供了很好的解决方案

· 用户可根据自己的喜好及操作习惯来配置参数的测量

· 系统有着全自动的计算功能及初始化功能

· 无需外部的光学器件，系统从样品测量信号中，直接就可以对样品进行准确的校准

· 可京密的调节高度及倾斜度

· 能够应用于测量不同厚度、不同类型的基片

· 各种方案及附件可用于诸如平面成像、测量波长扩展、焦斑测量等各种特殊的需求

· 2D和3D的图形输出和友好的用户数据管理界面。

系统配置： 

· 型号：SE200BM-M300

· 探测器：阵列探测器

· 光源：高功率的DUV-Vis-NIR复合光源

· 指示角度变化：手动调节

· 平台：ρ-θ配置的自动成像

· 软件：TFProbe 3.2版本的软件

· 计算机：Inter双核处理器、19”宽屏LCD显示器

· 电源：110–240V AC/50-60Hz，6A

· 保修：一年的整机及零备件保修

规格： 

· 波长范围：250nm到1000 nm

· 波长分辨率: 1nm

· 光斑尺寸：1mm至5mm可变

· 入射角范围：0到90度

· 入射角变化分辨率：5度 间隔

· 样品尺寸：zei大直径为300mm

· 基板尺寸：zei多可至20毫米厚

· 测量厚度范围*：0nm?10μm

· 测量时间：约1秒/位置点 

· 准确度*：优于0.25％

· 重复性误差*：小于1 ?

选项:                  

· 用于反射的光度测量或透射测量

· 用于测量小区域的微小光斑

· 用于改变入射角度的自动量角器

· X－Y成像平台(X-Y模式，取代ρ-θ模式)

· 加热/致冷平台

· 样品垂直安装角度计

· 波长可扩展到远DUV或IR范围

· 扫描单色仪的配置

· 联合MSP的数字成像功能，可用于对样品的图像进行测量

应用:                  

· 半导体制造（PR，Oxide, Nitride..) 

· 液晶显示（ITO，PR，Cell gap... ..） 

· 医学，生物薄膜及材料领域等

· 油墨，矿物学，颜料，调色剂等

· 医药，中间设备

· 光学涂层，TiO2, SiO2, Ta2O5... .. 

· 半导体化合物

· 在MEMS/MOEMS系统上的功能性薄膜

· 非晶体，那米材料和结晶硅

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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途