400-6699-117转4029
若未完成电话咨询,您可提交留言咨询,厂商主动联系您
在半导体试剂分析和金属基材料表征领域,控制痕量金属污染物十分关键。高纯化学品,例如硝酸 (HNO3) 和硫酸 (H2SO4),以及高纯金属,其检测分析流程需要达到亚 ppt 级检出限 (DLs),同时具备出色的稳健性与重现性。为了满足这些需求,配备双池耦合碰撞反应系统 (DCS)[1] 以及搭配了 m 透镜的 Agilent 9500 串联四极杆 ICPMS(ICP-MS/MS) 提供了一个高度稳定的分析平台,能够在热等离子体条件下取得低背景值以及可靠的性能。
在本研究中,我们采用专门为低基质、高纯试剂设计的方法,评估了 9500 ICP-MS/MS 的性能。使用仪器软件中分别适用于超纯水(UPW)和 H2SO4 的预置方法 ― UPW 方法同样适用于 HNO3 和 H2O2 ― 我们分别对 1% HNO3 以及高纯 H2SO4 进行了分析。两种基质中的目标分析元素均实现了亚 ppt 级检出限和低背景。这些结果表明,配备 m 透镜的 9500 ICP-MS/MS 可用于半导体级试剂的超痕量杂质分析,以及高要求的金属基样品的应用需求。
上一篇