DENTON离子束溅射系统-丹顿IBS,IBD

离子束系统可以实现：

稳定的膜层沉积速率；化学成分稳定
离子束刻蚀以及反应离子束刻蚀，可以实现的刻蚀均匀性
多种可选项，以适应不同应用要求：多种离子源可选；多种 工装夹具可选；多种镀膜控制方式可选；剩余气体分析；自动化控制方式可选

离子束溅射的优点：

成膜粒子动能大，因此，膜层致密性好，针眼少，对环境稳定

成膜真空度高（10-4TORR），因此，膜层纯度高

可以提供工件预处理以膜层附着力

独立控制离子能量和离子束流，可以提供更大的工艺灵活性，控制成膜组分，应力，围观结构等

稳定的沉淀速率，突出的膜层厚度控制和稳定的成膜均匀性

自动化控制-地工艺控制

倾斜式单旋转工件盘：

直径六英寸或八英寸的工件盘可选

水冷型

突出的沉积和刻蚀均匀性

倾斜式

可以通过调整倾斜角度得到工艺要求的台阶覆盖率

可以通过调节调节倾斜角度进一步均匀性

倾斜行星式工件盘：

三个直径六英寸的水冷型行星盘

采用行星式工件盘以得到更好的均匀性

突出的沉淀和刻蚀均匀性

倾斜式

离子束溅射沉积源：

多种型号射频或直流离子源可选

射频（3cm,6cm）

适合溅射工艺

污染小（无灯丝）

非常适合溅射介质材料，可以用于溅射金属

维护间隔时间超过200小时

※ 直流（3cm,5cm,8cm）

适合非反应溅射工艺

多种配置可供选择

等离子体桥状中和器：增强反应溅射工艺能力和小维护时间间隔在25-45小时

空心阴极中和器：减小污染，维护间隔时间长达150小时

非常适合溅射金属，可以用于溅射介质材料

离子源栅极选项：

材质：

石墨：适合无反应工艺

钼：适合大多数反应工艺

栅网结构：聚焦型离子源

发散型辅助或者预清洗源

采用三栅网结构可以使溅射工艺更加稳定

四栅网结构

靶材夹具：

当配置用于溅射时，配置水冷型四靶材夹具。可以装多四个直径5英寸的靶材。

泵选项：

机械泵：油泵/干泵

高真空泵：CTI低温冷凝泵/涡轮分子泵

终点控制：

溅射工艺：

时间控制：通常用于简单沉积工艺，少于20层；

石英晶体膜厚控制仪：MAXTEK260/360C，石英晶体失效情况下，采用时间控制

系统技术规格：

当配置为离子束沉积时，多可以安装四个直径5英寸靶材

提供单旋转倾斜式工装夹具，工件尺寸6英寸或8英寸，带水冷；

为获得更好的均匀性，提供行星式倾斜式工装夹具，三个6英寸行星工件盘，带水冷；

可以沉积无漂移光学薄膜；

可以在低于10-4 torr的真空度下沉积，成膜纯度；

配置双离子源时，可以实现基片预清洗，膜层附着力；

全自动成膜工艺控制；

·多种Veeco公司射频或直流离子源可供选择；

高真空低温泵或涡轮分子泵可选；

对于离子束沉积，成膜厚度控制可以采用时间控制或石英晶体膜厚控制仪控制；

离子束沉淀适合材料：

     介质材料：SiO2,Ta2O5,Al2O3,TiO2,Si3N4等

     金属材料：W, Au, Cu, Pt, NiFe, CrCo,Si等

 IBE和RIBE适用材料：

     介质材料：Si, SiO2, Al2O3, Polyimide等

     金属材料：NiFe, Cu, Au, Al.

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