P型、N型、高纯锗晶体HPGe

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ORTEC辐射仪/射线检测仪, 高纯锗HPGe晶体： 9N,10N,11N,12N,13N,High Purity Germanium Single......

参数指标

高纯锗晶体，高纯锗晶体
P型HPGe高纯锗晶体，N型高纯锗晶体

高纯锗晶体
产地	德国
物理性质	颜色	银灰色
	属性	半导体材料
	密度	5.32g/cm3
	熔点	937.2℃
	沸点	2830℃
技术指标	材料均匀度	特级
	光洁度	特优
	纯度	99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)
制备方式	用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。
产品规格	P、N型按客户要求定制
产品用途	超高纯度，红外器件、γ辐射探测器
P型N型高纯锗	在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。
交货期	90天