JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射电子显微镜

1、TEM0.19 nm (0.11 nm with TEM Cs corrector)分辨率：STEM 0.08 nm

2.放大倍数：STEM 100 to 150,000,000x

　　TEM50 to 2,000,000x

3.加速电压： 200 kV

4.球差校正器STEM Cs corrector Standard

　　TEM Cs corrector Optional

5.其他附件EDS/EELS /CCD camera, etc.

JEM-ARM200F 规格

分辨率

扫描透射像¹⁾ 0.08 nm²⁾ (加速电压为200kV时)

透射像  0.19 nm (加速电压为200kV时)

点分辨率 0.11 nm （使用成像系统球差校正器³⁾, 加速电压为200kV时)

线分辨率 0.10 nm

放大倍率

扫描透射像 200 至 150,000,000x

透射像 50 至 2,000,000x

电子枪 肖特基场发射枪

加速电压 80 至 200 kV⁴⁾

样品台

样品台 全对中侧插式测角台

样品尺寸 直径3mm

样品倾斜角 zei大25°(使用双倾台)

移动范围 X/Y:±1.0mm(马达驱动)

球差校正器

照明系统的球差校正器(STEM) 标准配置

成像系统的球差校正器(TEM) 选配件  能谱仪(EDS)

选配件 电子能量损失谱仪 (EELS)，CCD 相机等

1.    使用HAADF (高角度环形暗场)检测器

2.    测试标样Ge(112)情况下保证.

3.    选配件

4.    标准电压: 120 kV, 200 kV

参考招标参数（单一来源）：

一、项目名称：东北大学“JEM-ARM200F场发射球差校正透射电镜”采购

二、采购编号：LNZB-GJZ2013-032-02/项目编号: DDWW2013020-02包

三、拟采购设备详细技术说明：

1、设备用途

场发射分析型透射电子显微镜主要用于材料的原子级高分辨形貌观察和原子级成分分析，系统由电子光学系统、高压系统、真空系统等部分组成。

2、主要工作条件

2.1电源电压：

2.1.1主机:：AC单相220V (± 10%)，≥50A，50/60Hz

2.1.2球差校正器：AC单相100-240V，1500W，50/60Hz

2.1.3球差校正器用电脑：AC单相100-240V，250VA/200W，50/60Hz

2.1.4电源及频率稳定性：≤±5%

2.1.5冷却循环水：AC  380V (± 10%)  50Hz   三相 

2.1.6地线：≤5欧姆以下独立地线

2.2  工作环境温度： 20±5℃，

温度的漂移小于等于 0.2℃/h

温度波动小于等于0.05 ℃/min

2.3  环境相对湿度： ≤60％

2.4  压力变化：≤ 1 Pa

2.5  空气流动： ≤100mm/秒

2.6  噪音：≤50-60dB

2.7  振动：≤0.2-0.4um

2.8  磁场：直流电流磁场波动：小于0.05T，交流电流磁场波动：小于0.05T    3、技术要求及参数

3.1  电子枪和加速电压

3.1.1 电子枪：肖特基热场发射电子枪*

3.1.2 加速电压：加速电压≥200kV，可实现加速电压连续可调并正常稳定工作。

3.1.3加速电压稳定度：≤ 1ppm/min(峰峰值)*

3.1.4物镜电流稳定度：≤ 0.5ppm/min(峰峰值)*

3.2  分辨率

3.2.1 点分辨率≤0.23nm；（样品台≥±35度角时，点分辨率≤0.23nm）*

3.2.2 线分辨率≤0.10nm*

3.2.3 STEM暗场分辨率≤0.08nm

3.3  zei小束斑尺寸：£0.1nm

3.4  束流强度：0.2nm时0.5nA 或更高

3.5  物镜参数：

3.5.1球差系数： ≤ 1.0mm；

3.5.2色差系数： ≤ 1.4 mm

3.6  STEM修正参数：

3.6.1聚光镜球差系数：可调，±5um 或更好

3.7  会聚束电子衍射（CBED）           

3.7.1 会聚角(2α)：大于1.5-20 mrad

3.7.2 接受角： ±10°

3.7.3束流漂移：1nm/min 或更低

3.8 放大倍数

TEM: 50-2,000,000倍*

STEM magnification: ≥150,000,000*

3.9  真空系统

3.9.1 电子枪室：≤1 x 10-7Pa(数量级)

3.9.2 样品室： ≤2 x 10-5 Pa

3.10  样品杆

3.10.1 样品倾斜角度：双倾样品杆 X/Y ≥±25°；如果选择点分辨≤0.23nm时，样品杆倾斜角度 ≥±35°

3.10.2 样品移动范围： 2mm(X, Y); 0.2mm(Z)

3.10.5普通双倾样品台

3.10.5低背景信号，EDS分析用双倾样品台

3.11  扫描透射(STEM)

3.11.1 暗场分辨率：≤0.10 nm*

3.11.2 探头：BF(可进行ABF像观察)，HAADF，探测器同时安装

3.12  控制和数据处理系统：Windows操作系统

3.13  能谱仪(EDS)的技术规格

3.13.1   SDD探测器

3.13.2   有效探测器面积：100平方毫米*

3.13.3   分辨率：优于129eV

3.13.4   分辨元素范围：B-U

3.13.5   包括专用的计算机和显示器

3.13.6   操作及数据处理模式：配备定性、定量数据处理软件及其它标准的用于EDS分析的必备软件

3.13.7  能够做点、线和面的定性及定量分析

3.13.8  可以与STEM配合进行Mapping的漂移校正

3.13.9  取出角: 1 str.（UHR极靴）

3.13.10探头保护阀门

3.14透射电镜用CCD相机

3.14.1 安装方式：底插CCD及软件

3.14.2分辨率：4k x 2.7k 即1100万像素

3.14.3耦合方式：光纤耦合

3.14.4动态范围：16位

3.14.5可伸缩式设计（可扩充GIF）

4、环境改造：

1）房间尺寸

1主机室： 5800×6000=34800000mm2

2配电室： 3000×6000=18000000mm2

2）电源

主机：AC单相220V (± 10%)，≥50A，50/60Hz 总功率12KVA

球差校正器：AC单相100-240V，1500W，50/60Hz

球差校正器用电脑：AC单相100-240V，250VA/200W，50/60Hz

电源及频率稳定性：≤±5%

冷却循环水：AC  380V (± 10%)  50Hz   三相 

地线：≤5欧姆以下独立地线

3）温湿度要求

温度：20±5℃；温度的漂移小于等于 0.2℃/h；温度波动小于等于0.05 ℃/min

湿度：≤60%

4）磁场要求

直流电流磁场波动：小于0.05T，交流电流磁场波动：小于0.05T

5）地面振动

≤0.2-0.4um