JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射电子显微镜

• JEM-ARM200F标配了照明系统球差校正器，是一款原子分辨分析型透射电镜，拥有世界领先的STEM-HAADF像分辨率（78pm）。标配照明系统球差校正器，且zei大限度地提升了装置的机械稳定性和电气稳定性，实现了世界领先的STEM-HAADF像分辨率 （78pm*1、82pm*2）。

• JEM-ARM200F标配了照明系统球差校正器，是一款原子分辨分析型透射电镜，拥有世界领先的STEM-HAADF像分辨率（78pm）。

• STEM-HAADF像的保证分辨率（78pm^*1 ）为世界之领先性能

• 标配照明系统球差校正器，且zei大限度地提升了装置的机械稳定性和电气稳定性，实现了世界领先的STEM-HAADF像分辨率 （78pm*1、82pm^*2）。 此外经过球差校正的电子束与一般的场发射透射电镜相比，电流密度可以高出十倍。使用束斑更小、电流密度更大的电子束，能在进行原子水平的元素分析同时,大幅度地缩短测试时间，极大地提高分析效率。
  *1 配备冷场发射电子枪  *2 配备肖特基场发射电子枪

• 通过STEM-ABF像直接观察轻元素的原子阵列

• JEM-ARM200F标配了扫描透射环形明场(STEM-ABF)成像模式，通过STEM-ABF像能直接观察晶体样品中轻元素的原子阵列，还可以同时获取STEM-HAADF像，在样品结构的分析中能够发挥巨大威力

• 用100mm2的大面积SDD^*3进行原子分辨分析

• JEM-ARM200F配备日本电子制造的100mm²的大面积硅漂移检测器(Silicon Drift Detector:SDD)^*3，可以进行快速、高灵敏的EDS元素分析，与经过球差校正的电子束流组合，能进行原子级的元素面分布，在原子水平的分辨率下进行成份分析。
  *3 选配

• 用冷场发射电子枪^*4进行观察和分析

• 冷场发射电子枪(Cold-FEG)^*4配备新开发的真空系统，与传统的冷场发射电子枪不同，Flashing操作后可以马上使用。由于光源小可以获得更高分辨率的图像。此外冷场发射电子枪的能量发散度小，不仅能进行高分辨率的EELS分析，还能降低色差。
  *4 选配

• 成像系统球差校正器^*5

• 使用成像系统的球差校正器^*5，透射电子像(TEM)的分辨率可以高达110pm。
  *5 选配

达到世界zei高的扫描透射像(STEM-HAADF)的分辨率（0.08nm）

JEM-ARM200F标配了照明系统球差校正器，是一款原子分辨分析型透射电镜，拥有世界zei高的STEM-HAADF像分辨率（78pm）。

STEM-HAADF像的保证分辨率（78pm*1 ）为世界之zei高性能

标配的照明系统球差校正器，zei大限度地提升了装置的机械性能和电气稳定性，实现了世界zei高的STEM-HAADF像分辨率 （78pm*1、82pm*2）。
此外经过球差校正的电子束与一般的场发射透射电镜相比，电流密度可以高出十倍。使用束斑小、电流密度大的电子束，能在进行原子水平的元素分析同时,大幅度地缩短测试时间，极大地提高通量。
*1 配备冷场发射电子枪
*2 配备肖特基场发射电子枪

通过STEM-ABF像直接观察轻元素的原子列

JEM-ARM200F标配了扫描透射环形明场(STEM-ABF)成像模式，通过STEM-ABF像能直接观察晶体样品中轻元素的原子列，此外还可以同时获取STEM-HAADF像，因此在样品结构的分析中能够发挥威力

用100mm2的大面积SDD*3进行原子分辨分析

JEM-ARM200F配备日本电子制造的100mm²的大面积硅漂移检测器(Silicon Drift Detector:SDD)*3，可以进行快速、高灵敏的EDS元素分析，与经过球差校正的电子探针组合，能进行原子列的元素面分布，在原子水平的分辨率下进行成份分析。
*3 选配

用冷场发射电子枪*4进行观察和分析

冷场发射电子枪(Cold-FEG)*4配备新开发的真空系统，传统的冷场发射电子枪不同，Flashing操作后可以马上使用。此外、由于光源小可以获得更高分辨率的图像。此外冷场发射电子枪的能量分散小，不仅能进行高能量分辨率的EELS分析，还能降低色差。
*4 选配

成像系统球差校正器 *5

用于配备了成像系统的球差校正器*5，,透射电子像(TEM)的分辨率可以高达110pm。
*5 选配

　　原子分辨率 S/TEM

　　标配照明系统的球差校正器，STEM分辨率 0.08 nm, 为世界zei高的商业化透射电镜，同时使其具有无与伦比的分析功能。

　　极强的抗干扰能力和超高稳定性

　　JEM-ARM200F采用多种新技术和设计确保实现原子级的分辨率和分析能力。

　　可以选配成像系统的球差校正器

　　点分辨率可以提高到 0.11 nm.

JEM-ARM200F的电子光学系统标准配备了一体化的球差校正器, 其扫描透射像分辨率(STEM-HAADF)达到了0.08nm，为商用透射电子显微镜分辨率的世界之zei。

保证0.08nm的世界zei高STEM (HAADF) 分辨率

ARM200F为电子光学系统标准配备了一体化球差校正器，电气和机械性能的稳定性也达到极限水平, 使扫描透射像(STEM-HAADF)分辨率达到0.08nm, 成为商用透射电子显微镜中的世界之zei。电子束在像差校正之后, 束流密度比传统的透射电子显微镜高出一个数量级。因为束流更亮更细、电流密度高, ARM200F能够在进行原子水平分析的同时, 还能缩短检测时间和提高样品处理能力。

电气稳定性的提高

要达到原子水平的分辨率, 控制电子光学系统的电源需要稳定。ARM200F把高压和物镜电流变动降低到传统透射电子显微镜50%, 大幅度地提高了电气的稳定性。

机械稳定性的提高

照射系统和成像系统采用像差校正器，实现原子水平的分析和成像，需要控制原子水平的振动和变形。 ARM200F整体机械强度比传统透射电子显微镜增大两倍，通过增大镜筒尺寸，提高了刚度，优化了操作台结构,增强了机械的稳定性。

高扩展性的STEM 分析能力

暗场检测器因STEM检测角度的不同有两种类型(其中一种为标配), 它和明场检测器(标准配备), 背散射电子检测器 (选配件) 可以同时安装。新的扫描成像获取系统能够同时收集4种不同类型的信号, 可以同时观察这4种图像。

环境对策

装置设置室的温度变化和杂散磁场也能引起原子水平的振动和变形。为降低外部影响，ARM200F特别标配了热屏蔽和磁屏蔽系统。另外，对镜筒加外売覆盖以免受周围空气对流所引起的镜筒表面温度变化的影响。

用于成像系统的球差校正器 （选配件）

使用选配的成像系统球差校正器, 透射电子显微镜的图像(TEM)分辨率能提高到0.11 nm。

日本电子株式会社2010年7月zei新推出了冷场发射双球差校正原子分辨和分析型透射电镜。

中国科学院物理研究所 2011/7/31 1  

上海交通大学 2011/12/1 1

传统的冷场发射技术稳定性差，亮度低，无法保证透射电镜的使用需求。日本电子株式会社zei新开发的冷场发射技术解决了这些问题，并把该技术加入到zei新球差校正透射电镜ARM200F序列里。使ARM200F在保证亚纳米分辨率0.078nm的同时，能量分辨率提高到0.3eV，极大增强了原子级观察和原子级分析能力。

在美国的第一台搭载冷场发射电子枪的JEM-ARM200F将安装在Florida State University’s Applied Superconductivity Center, housed in the National High Magnetic Field Laboratory. 其后美国的Brookheaven国家实验室；欧洲各国；日本的东京大学、东北大学、名古屋大学、九州大学等；中国台湾的清华大学也开始纷纷采购这一设备。