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牛津仪器OPAL原子层沉积系统(ALD)

tel: 400-6699-117 2002

牛津仪器原子层沉积系统(ALD), 紧凑型开放式样品载入原子层沉积(ALD)系统 OpAL提供了独一无二的热ALD设备,可以简单明了的升级使用等离子体,使得在同一紧凑设备中集成了等离子体和热ALD。 开放式样品载入热ALD,集成等离子体技术 现场升级到可使用等离子体 从小晶片到200mm大晶片 适用于学术、产业、研发的热和/或等离子体化学产品,可用于: 氧化物: HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O5 氮化物:TiN, Si3N4 金属: Ru, Pt

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ALD应用举例:

  • 纳米电子学

  • 高k栅极氧化物

  • 存储电容器绝缘层-铜连线间的高纵横比扩散势垒区

  • 有机发光二极管和聚合物的无针孔钝化层

  • 钝化晶体硅太阳能电池

  • 应用于微流体和MEMS的高保形涂层

  • 纳米孔结构的涂层

  • 生物微机电系统

  • 燃料电池

直观性强的的软件提高性能

使用与牛津仪器的值得信赖的Plasmalab ®产品家族相同的软件平台, OpAL的程序驱动、多用户级别、PC2000TM控制的软件易于操作且可为快速ALD做相应修改。

                

牛津仪器向世界范围内的生产商和研发者提供沉积工艺解决方案的经验为我们提供了世界上zei强大沉积工艺库和沉积工艺能力。以下是牛津仪器等离子技术可以提供的一些沉积工艺的一个范例。请与我们联系,讨论您的特定需求,我们专业的销售和应用工作人员将很高兴帮助您选择合适的沉积工艺和工具,以满足您的需求。




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