薄膜沉积PICOSUN™ALD-P300B型 技术参数：
衬底尺寸和类型 | 200mm晶圆 25片/批次（标准间距） 150mm 晶圆 50片/批次（标准间距） 100mm 晶圆 75片/批次（标准间距） 非标准晶圆类基底（使用定制夹具） 高深宽比基底（zei大深宽比1:2500） |
| 工艺温度 | 50 – 500°C |
标准工艺 | · 批量生产的平均工艺时间小于10秒/循环* · Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN,TiN以及 各种金属 · 同一批次薄膜不均匀性<1% 1σ (Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)** |
基片加载 | 气动升降，手动装载 线性半自动装载 |
前驱体 | 液态，固态，气态，臭氧源 源瓶余量传感器，提供清洗和装源服务 4根独立的源管线，zei多加载8个前驱体源 |
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经销商
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原子层沉积系统（ALD）
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