技术特点
【技术特点】-- 芬兰原子层沉积技术PICOSUN™ALD-P300BV
薄膜沉积PICOSUN™ALD-P300B 应用案例 | |
集成电路组件 | 微机电系统 |
氧化物间隔层 间聚介质 高K栅介质 隧穿氧化物薄膜 氧化物阻挡层 钝化层 间隙填充层 覆盖层 铜阻挡层和种子层 粘附层 扩散阻挡层 电极 金属化 | 扩散阻挡层 耐磨涂层 电荷耗散层 导热层 导电种子层 刻蚀阻挡层 电绝缘层 防摩擦层 防粘着层 光学薄膜 生物兼容层 密封层 纳米孔封堵层 |
其它 | 显示 |
晶体管 电容器 存储器 读写磁头 | 钝化 透明导电薄膜 绝缘层 |
【技术特点对用户带来的好处】-- 芬兰原子层沉积技术PICOSUN™ALD-P300BV
【典型应用举例】-- 芬兰原子层沉积技术PICOSUN™ALD-P300BV
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原子层沉积(ALD)
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