原子层沉积技术ALD-P1000技术参数
| 衬底尺寸和类型 | 大小不等的3D结构物件（例如：机械零件、玻璃或金属片、硬币、珠宝以及医疗植入物等） |
| 工艺温度 | 50 - 400 °C |
| 标准选件 | Al2O3, ZnO, TiO2 |
| 基片装载 | 通过装载工具进行手动装载 |
| 前驱体 | 液态、固态、气态、臭氧源 源瓶余量传感器，提供清洗和装源服务 6根独立源管线，zei多加载10个前驱体源 |
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原子层沉积(ALD)
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