PICOSUN™ R200系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现极佳的均匀性,包括zei具挑战性的通孔的、超高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更高级的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度zei小的薄膜层。在zei基本的PICOSUN™ R系列配置中可以选择多个独立的,完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN™ R系列独特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN™ P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN™反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中,就会吸引到企业投资。
客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm(6“和8”)晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
材料 | 非均匀性(1σ) |
AI2O3 (batch) | 0.13 % |
SiO2 (batch) | 0.77 % |
TiO2 | 0.28 % |
HfO2 | 0.47 % |
ZnO | 0.94 % |
Ta2O5 | 1.0 % |
TiN | 1.10 % |
CeO2 | 1.52 % |
Pt | 3.41 % |
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原子层沉积系统(ALD)
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