原子层沉积系统PICOSUN™P300S 技术参数：
| 衬底尺寸和类型 | zei大300mm单片晶圆 高深宽比基底（zei大深宽比1:2500） |
| 工艺温度 | 50 – 500°C |
标准工艺 | 批量生产的平均工艺时间小于10秒/循环* Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN,TiN以及各种金属 同一批次薄膜不均匀性<1% 1σ (Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)** |
基片装载 | 预真空室安装磁力操作机械手 全自动装载，Picoplatform™ 200或Picoplatform™ 300真空集群系统 通过集群系统进行盒对盒式FOUP装载氮气柜装载 |
前驱体 | 液态、固态、气态、臭氧源 源瓶余量传感器，提供清洗和装源服务 6根独立源管线，zei多加载12个前驱体源 |
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原子层沉积(ALD)
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